Name: DMTH10H071LFDFWQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H071LFDFWQ-7TR-ND
Price: 0.21337 EUR
Availability: OutOfStock

DMTH10H071LFDFWQ-7 está disponible para la compra, pero no está normalmente en stock.

Reemplazos disponibles:

Equivalente paramétrico

Diodes Incorporated

En stock: 0

Precio por unidad : 0,13371 €

Equivalente paramétrico

Diodes Incorporated

En stock: 0

Precio por unidad : 0,15469 €

Equivalente paramétrico

Diodes Incorporated

En stock: 0

Precio por unidad : 0,14788 €

Nuevo en DigiKey

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

DMTH10H071LFDFWQ-7
N.º de producto de DigiKey	31-DMTH10H071LFDFWQ-7TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH10H071LFDFWQ-7
Descripción	IC
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 100 V 4.6A (Ta) 1.8W (Ta) U-DFN2020-6 (SWP) (tipo UXG)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	68mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	296 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	U-DFN2020-6 (SWP) (tipo UXG)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-UDFN