Name: DMTH10H032SPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032SPSWQ-13-ND
Price: 1.2584 EUR
Availability: InStock

DMTH10H032SPSWQ-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMTH10H032SPSWQ-13-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH10H032SPSWQ-13
Descripción	MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 100 V 25A (Tc) 3.2W (Ta), 38W (Tc) PowerDI5060-8 (típico UX)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	25A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	32mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	544 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.2W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI5060-8 (típico UX)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	DMTH10

Precio unitario sin IVA:	1,04000 €
Precio unitario con IVA:	1,25840 €

DMTH10H032SPSWQ-13