Name: DMTH10H032LFVW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032LFVW-13-ND
Price: 1.0769 EUR
Availability: OutOfStock

DMTH10H032LFVW-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMTH10H032LFVW-13-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH10H032LFVW-13
Descripción	MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 100 V 26A (Tc) 1.7W (Ta) PowerDI3333-8 (SWP) típico UX
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMTH10H032LFVW-13 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	26A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	30mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	683 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI3333-8 (SWP) típico UX
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	DMTH10

Precio unitario sin IVA:	0,89000 €
Precio unitario con IVA:	1,07690 €

DMTH10H032LFVW-13