Name: DMTH10H009LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H009LPS-13TR-ND
Price: 1.5367 EUR
Availability: InStock

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DMTH10H009LPS-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMTH10H009LPS-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMTH10H009LPS-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMTH10H009LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH10H009LPS-13
Descripción	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 14A (Ta), 100A (Tc) 1.5W (Ta), 125W (Tc) PowerDI5060-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	14A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	40.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2309 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI5060-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	DMTH10