Name: DMT8012LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT8012LFG-7DITR-ND
Price: 1.5367 EUR
Availability: InStock

DMT8012LFG-7
N.º de producto de DigiKey	DMT8012LFG-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMT8012LFG-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMT8012LFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT8012LFG-7
Descripción	MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) POWERDI3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.5A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1949 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	POWERDI3333-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	DMT8012

Precio unitario sin IVA:	1,27000 €
Precio unitario con IVA:	1,53670 €

DMT8012LFG-7