Name: DMT6012LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT6012LFDF-7TR-ND
Price: 1.1858 EUR
Availability: OutOfStock

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DMT6012LFDF-7
N.º de producto de DigiKey	31-DMT6012LFDF-7TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMT6012LFDF-7CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMT6012LFDF-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT6012LFDF-7
Descripción	MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 9.5H (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) U-DFN2020-6 (típico F)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.3V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13.6 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 785 pF @ 30 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 900mW (Ta), 11W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9.5H (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor U-DFN2020-6 (típico F)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-UDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 14mOhm a 8.5A, 10V	Número de producto base DMT6012

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
DMT6012LFDF-13	Diodes Incorporated	0	DMT6012LFDF-13-ND	0,23233 €	Equivalente paramétrico

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