Name: DMT6007LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT6007LFGQ-7TR-ND
Price: 1.5125 EUR
Availability: InStock

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DMT6007LFGQ-7
N.º de producto de DigiKey	31-DMT6007LFGQ-7TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMT6007LFGQ-7CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMT6007LFGQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT6007LFGQ-7
Descripción	MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 15A (Ta), 80A (Tc) 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) POWERDI3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMT6007LFGQ-7 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	41.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2090 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	POWERDI3333-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	DMT6007