Name: DMT3009LFVW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT3009LFVW-7TR-ND
Price: 1.089 EUR
Availability: InStock

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DMT3009LFVW-7
N.º de producto de DigiKey	31-DMT3009LFVW-7TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMT3009LFVW-7CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMT3009LFVW-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT3009LFVW-7
Descripción	MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) PowerDI3333-8 (SWP) típico UX
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 823 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2.3W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie, lateral humedecible
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12A (Ta), 50A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerDI3333-8 (SWP) típico UX
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 3.8V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11mOhm a 14.4A, 10V	Número de producto base DMT3009

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
RQ3E120BNTB	Rohm Semiconductor	2.572	RQ3E120BNTBCT-ND	0,82000 €	Similar
TPH11003NL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	970	TPH11003NLLQCT-ND	1,24000 €	Similar

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Cinta y rollo (TR)

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Precio unitario sin IVA:	0,90000 €
Precio unitario con IVA:	1,08900 €

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