Name: DMT15H053SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT15H053SK3-13-ND
Price: 1.815 EUR
Availability: InStock

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DMT15H053SK3-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMT15H053SK3-13-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT15H053SK3-13
Descripción	MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 21A (Tc) 1.7W (Ta) TO-252 (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.5 nC @ 10 V
Embalaje Granel	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 814 pF @ 75 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 1.7W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 21A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252 (DPAK)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 60mOhm a 20A, 10V	Número de producto base DMT15

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