Name: DMT12H090LFDF4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H090LFDF4-7TR-ND
Price: 1.5004 EUR
Availability: InStock

DMT12H090LFDF4-7
N.º de producto de DigiKey	31-DMT12H090LFDF4-7TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMT12H090LFDF4-7CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMT12H090LFDF4-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT12H090LFDF4-7
Descripción	MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 115 V 3.4A (Ta) 900mW (Ta) X2-DFN2020-6
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	115 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.4A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	3V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	90mOhm a 3.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	251 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	X2-DFN2020-6
Paquete / Caja (carcasa)	6-PowerXDFN
Número de producto base	DMT12

Precio unitario sin IVA:	1,24000 €
Precio unitario con IVA:	1,50040 €

DMT12H090LFDF4-7