Name: DMT10H032LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H032LFDF-7TR-ND
Price: 1.2463 EUR
Availability: InStock

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DMT10H032LFDF-7
N.º de producto de DigiKey	31-DMT10H032LFDF-7TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMT10H032LFDF-7CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMT10H032LFDF-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT10H032LFDF-7
Descripción	MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 6A (Ta) 1.3W (Ta) U-DFN2020-6 (típico F)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMT10H032LFDF-7 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	32mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	683 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	U-DFN2020-6 (típico F)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-UDFN
Número de producto base	DMT10