Name: DMT10H025SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H025SSS-13DITR-ND
Price: 1.1132 EUR
Availability: InStock

DMT10H025SSS-13
N.º de producto de DigiKey	DMT10H025SSS-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMT10H025SSS-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMT10H025SSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT10H025SSS-13
Descripción	MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 7.4A (Ta) 1.4W (Ta) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.4A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	23mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	21.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1544 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	DMT10

Precio unitario sin IVA:	0,92000 €
Precio unitario con IVA:	1,11320 €

DMT10H025SSS-13