Name: DMT10H010LCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H010LCTDI-ND
Price: 2.662 EUR
Availability: InStock

DMT10H010LCT
N.º de producto de DigiKey	DMT10H010LCTDI-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT10H010LCT
Descripción	MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 98A (Tc) 2W (Ta), 139W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	98A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.5mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3000 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	DMT10

Precio unitario sin IVA:	2,20000 €
Precio unitario con IVA:	2,66200 €

DMT10H010LCT