Name: DMT10H009LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009LK3-13TR-ND
Price: 1.4762 EUR
Availability: InStock

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DMT10H009LK3-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMT10H009LK3-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMT10H009LK3-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMT10H009LK3-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT10H009LK3-13
Descripción	MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 90A (Tc) 1.7W (Ta) TO-252 (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMT10H009LK3-13 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	90A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2309 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	DMT10