Name: DMS3015SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMS3015SSS-13DITR-ND
Price: 0.7865 EUR
Availability: InStock

DMS3015SSS-13
N.º de producto de DigiKey	DMS3015SSS-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMS3015SSS-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMS3015SSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMS3015SSS-13
Descripción	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 11A (Ta) 1.55W (Ta) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMS3015SSS-13 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11.9mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1276 pF @ 15 V
Característica de FET	Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.)	1.55W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	DMS3015

Precio unitario sin IVA:	0,65000 €
Precio unitario con IVA:	0,78650 €

DMS3015SSS-13