Name: DMP2900UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP2900UFB-7BTR-ND
Price: 0.3146 EUR
Availability: InStock

DMP2900UFB-7B
N.º de producto de DigiKey	31-DMP2900UFB-7BTR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMP2900UFB-7BCT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMP2900UFB-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP2900UFB-7B
Descripción	MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 990mA (Ta) 550mW (Ta) X1-DFN1006-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	990mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	750mOhm a 430mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	49 pF @ 16 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	550mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	X1-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa)	3-UFDFN
Número de producto base	DMP2900

Precio unitario sin IVA:	0,26000 €
Precio unitario con IVA:	0,31460 €

DMP2900UFB-7B