Name: DMP2008UFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP2008UFG-13DITR-ND
Price: 0.9075 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

DMP2008UFG-13
N.º de producto de DigiKey	DMP2008UFG-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMP2008UFG-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMP2008UFG-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP2008UFG-13
Descripción	MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 14A (Ta), 54A (Tc) 2.4W (Ta), 41W (Tc) POWERDI3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	14A (Ta), 54A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8mOhm a 12A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	72 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6909 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.4W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	POWERDI3333-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	DMP2008