Name: DMP10H400SEQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP10H400SEQ-13DITR-ND
Price: 0.7865 EUR
Availability: InStock

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DMP10H400SEQ-13
N.º de producto de DigiKey	DMP10H400SEQ-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMP10H400SEQ-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMP10H400SEQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP10H400SEQ-13
Descripción	MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 2.3A (Ta), 6A (Tc) 2W (Ta), 13.7W (Tc) SOT-223-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMP10H400SEQ-13 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.3A (Ta), 6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	250mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1239 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta), 13.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	DMP10