Name: DMN65D8LFB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LFB-7DITR-ND
Price: 0.2662 EUR
Availability: InStock

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DMN65D8LFB-7
N.º de producto de DigiKey	DMN65D8LFB-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN65D8LFB-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN65D8LFB-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN65D8LFB-7
Descripción	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) X1-DFN1006-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	260mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3Ohm a 115mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	25 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	430mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	X1-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa)	3-UFDFN
Número de producto base	DMN65

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