Name: DMN53D0LQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN53D0LQ-7DITR-ND
Price: 0.3025 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

DMN53D0LQ-7
N.º de producto de DigiKey	DMN53D0LQ-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN53D0LQ-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN53D0LQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN53D0LQ-7
Descripción	MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 50 V 500mA (Ta) 370mW (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMN53D0LQ-7 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	50 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	500mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.6Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	46 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	370mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	DMN53