Name: DMN4800LSSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN4800LSSQ-13DITR-ND
Price: 0.8954 EUR
Availability: InStock

DMN4800LSSQ-13
N.º de producto de DigiKey	DMN4800LSSQ-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN4800LSSQ-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN4800LSSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN4800LSSQ-13
Descripción	MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 8.6A (Ta) 1.46W (Ta) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	14mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.6V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.7 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	798 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.46W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	DMN4800

Precio unitario sin IVA:	0,74000 €
Precio unitario con IVA:	0,89540 €

DMN4800LSSQ-13