Name: DMN3190LDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3190LDW-13DITR-ND
Price: 0.3267 EUR
Availability: InStock

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DMN3190LDW-13
N.º de producto de DigiKey	DMN3190LDW-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN3190LDW-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN3190LDW-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN3190LDW-13
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 1A 320mW Montaje en superficie SOT-363
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	190mOhm a 1.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	87pF a 20V
Potencia - Máx.	320mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-363
Número de producto base	DMN3190

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