Name: DMN30H4D0LFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN30H4D0LFDE-7DITR-ND
Price: 0.8954 EUR
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Diodes Incorporated

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DMN30H4D0LFDE-7
N.º de producto de DigiKey	DMN30H4D0LFDE-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN30H4D0LFDE-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN30H4D0LFDE-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN30H4D0LFDE-7
Descripción	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 300 V 550mA (Ta) 630mW (Ta) U-DFN2020-6 (típico E)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.8V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7.6 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 187.3 pF @ 25 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 630mW (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 300 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 550mA (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor U-DFN2020-6 (típico E)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.7V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 6-PowerUDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4Ohm a 300mA, 10V	Número de producto base DMN30

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Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
DMN30H4D0LFDE-13	Diodes Incorporated	0	31-DMN30H4D0LFDE-13TR-ND	0,13696 €	Equivalente paramétrico

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