Name: DMN3032LQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3032LQ-7TR-ND
Price: 0.09652 EUR
Availability: OutOfStock

DMN3032LQ-7
N.º de producto de DigiKey	31-DMN3032LQ-7TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN3032LQ-7
Descripción	MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 5.4A (Ta) 800mW SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.4A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	31mOhm a 5.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	481 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	800mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Precio unitario sin IVA:	0,07977 €
Precio unitario con IVA:	0,09652 €

DMN3032LQ-7