Name: DMN3026LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3026LVT-7DITR-ND
Price: 0.6534 EUR
Availability: InStock

DMN3026LVT-7
N.º de producto de DigiKey	DMN3026LVT-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN3026LVT-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN3026LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN3026LVT-7
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 6.6 A (Ta) 1.2W (Ta) TSOT-23-6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMN3026LVT-7 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	23mOhm a 6.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	643 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TSOT-23-6
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de producto base	DMN3026

Precio unitario sin IVA:	0,54000 €
Precio unitario con IVA:	0,65340 €

DMN3026LVT-7