Name: DMN3009SFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3009SFGQ-7DITR-ND
Price: 1.6214 EUR
Availability: InStock

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DMN3009SFGQ-7
N.º de producto de DigiKey	DMN3009SFGQ-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN3009SFGQ-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN3009SFGQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN3009SFGQ-7
Descripción	MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 16A (Ta), 45A (Tc) 900mW (Ta) POWERDI3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16A (Ta), 45A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2000 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	POWERDI3333-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	DMN3009