Name: DMN2011UFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2011UFDE-7DITR-ND
Price: 1.3068 EUR
Availability: InStock

DMN2011UFDE-7
N.º de producto de DigiKey	DMN2011UFDE-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN2011UFDE-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN2011UFDE-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN2011UFDE-7
Descripción	MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) U-DFN2020-6 (típico E)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11.7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.5mOhm a 7A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2248 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	610mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	U-DFN2020-6 (típico E)
Paquete / Caja (carcasa)	6-PowerUDFN
Número de producto base	DMN2011

Precio unitario sin IVA:	1,08000 €
Precio unitario con IVA:	1,30680 €

DMN2011UFDE-7