Name: DMN2009USS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2009USS-13TR-ND
Price: 1.0285 EUR
Availability: InStock

DMN2009USS-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMN2009USS-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMN2009USS-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMN2009USS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN2009USS-13
Descripción	MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 12.1A (Ta) 1.4W 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12.1A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1706 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.4W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	DMN2009

Precio unitario sin IVA:	0,85000 €
Precio unitario con IVA:	1,02850 €

DMN2009USS-13