Name: DMN10H099SFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H099SFG-13-ND
Price: 0.23985 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN10H099SFG-13
N.º de producto de DigiKey	DMN10H099SFG-13-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN10H099SFG-13
Descripción	MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) POWERDI3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	80mOhm a 3.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	25.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1172 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	980mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	POWERDI3333-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	DMN10