Name: DMG7702SFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG7702SFG-7DITR-ND
Price: 1.0164 EUR
Availability: OutOfStock

DMG7702SFG-7
N.º de producto de DigiKey	DMG7702SFG-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMG7702SFG-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMG7702SFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMG7702SFG-7
Descripción	MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 12A (Ta) 890mW (Ta) POWERDI3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMG7702SFG-7 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10mOhm a 13.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	31.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4310 pF @ 15 V
Característica de FET	Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.)	890mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	POWERDI3333-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	DMG7702

Precio unitario sin IVA:	0,84000 €
Precio unitario con IVA:	1,01640 €

DMG7702SFG-7