Name: DMG6601LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG6601LVT-7DITR-ND
Price: 0.4356 EUR
Availability: InStock

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DMG6601LVT-7
N.º de producto de DigiKey	DMG6601LVT-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMG6601LVT-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMG6601LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMG6601LVT-7
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 3.8 A, 2.5 A 850mW Montaje en superficie TSOT-26
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMG6601LVT-7 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Canal N y P
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.8 A, 2.5 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	55mOhm a 3.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12.3nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	422pF a 15V
Potencia - Máx.	850mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor	TSOT-26
Número de producto base	DMG6601

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