Name: CDFG6558N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: 1514-CDFG6558NTR13PBFREETR-ND
Price: 11.2893 EUR
Availability: InStock

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CDFG6558N TR13 PBFREE
N.º de producto de DigiKey	1514-CDFG6558NTR13PBFREETR-ND - Cinta y rollo (TR) 1514-CDFG6558NTR13PBFREECT-ND - Cinta cortada (CT) 1514-CDFG6558NTR13PBFREEDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Central Semiconductor Corp
Número de pieza del fabricante	CDFG6558N TR13 PBFREE
Descripción	GANFET N-CH 650V 29A 8DFN
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 29A (Tc) 1.1W (Ta), 188W (Tc) 8-DFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Central Semiconductor Corp
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	29A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	80mOhm a 8A, 6V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 30.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.2 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+7V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	225 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.1W (Ta), 188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 8-VDFN