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Central Semiconductor Corp
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Hoja de datos
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Orificio pasante TO-39
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Transistores - Bipolar (BJT) - Simple NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Orificio pasante TO-39
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

2N3019 TIN/LEAD

N.º de producto de DigiKey
1514-2N3019TIN/LEAD-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
2N3019 TIN/LEAD
Descripción
80V 1A 800MW TH TRANSISTOR-SMALL
Plazo estándar del fabricante
18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Orificio pasante TO-39
Atributos del producto
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Categoría
Corriente - Corte de colector (Máx.)
10 nA (ICBO)
Fabricante
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
100 a 150mA, 10V
Embalaje
Caja
Potencia - Máx.
800 mW
Estado de pieza
Activo
Frecuencia - Transición
100MHz
Tipo de transistor
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 200°C (TJ)
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
1 A
Tipo de montaje
Orificio pasante
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)
80 V
Paquete / Caja (carcasa)
TO-205AD, TO-39-3 Lata
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
500mV a 50mA, 500mA
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-39
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Sustitutos (1)
N.° de piezaFabricante Cantidad disponibleN.º de producto de DigiKey Precio por unidad Tipo de reemplazo
2N3019 PBFREECentral Semiconductor Corp01514-2N3019PBFREE-ND0,91272 €Equivalente paramétrico
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