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2N3019 PBFREE
Central Semiconductor Corp
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Transistores - Bipolar (BJT) - Simple NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Orificio pasante TO-39
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Transistores - Bipolar (BJT) - Simple NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Orificio pasante TO-39
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

2N3019 TIN/LEAD

N.º de producto de DigiKey
1514-2N3019TIN/LEAD-ND
Fabricante
Central Semiconductor Corp
Número de pieza del fabricante
2N3019 TIN/LEAD
Descripción
80V 1A 800MW TH TRANSISTOR-SMALL
Plazo estándar del fabricante
15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Orificio pasante TO-39
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Embalaje
Caja
Estado de pieza
Activo
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
1 A
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)
80 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
500mV a 50mA, 500mA
Corriente - Corte de colector (Máx.)
10 nA (ICBO)
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
100 a 150mA, 10V
Potencia - Máx.
800 mW
Frecuencia - Transición
100MHz
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
TO-205AD, TO-39-3 Lata
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-39
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