Name: AMTP65H150G4LSGB
Brand: Analog Power Inc.
SKU: 5318-AMTP65H150G4LSGB-ND
Price: 43.0639 EUR
Availability: InStock

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AMTP65H150G4LSGB
N.º de producto de DigiKey	5318-AMTP65H150G4LSGB-ND
Fabricante	Analog Power Inc.
Número de pieza del fabricante	AMTP65H150G4LSGB
Descripción	GAN FET N-CH 650V 13A DFN8X8
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) 4-DFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Analog Power Inc.
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	180mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.8 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	760 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	4-DFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	4-PowerTSFN

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