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Canal N Orificio pasante 650 V 8H (Tc) 208W (Tc) TO-220
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AOT8N65

N.º de producto de DigiKey
AOT8N65-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
AOT8N65
Descripción
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 8H (Tc) 208W (Tc) TO-220
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
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Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
4.5V a 250µA
Fabricante
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
28 nC @ 10 V
Embalaje
Tubo
Vgs (máx.)
±30V
Estado de pieza
Obsoleto
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1400 pF @ 25 V
Tipo FET
Disipación de potencia (Máx.)
208W (Tc)
Tecnología
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Tipo de montaje
Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Paquete / Caja (carcasa)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.15Ohm a 4A, 10V
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Sustitutos (3)
N.° de piezaFabricante Cantidad disponibleN.º de producto de DigiKey Precio por unidad Tipo de reemplazo
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Obsoleto
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