AOK42S60L es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:

Similar


Microchip Technology
En stock: 0
Precio por unidad : 5,61400 €
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 519
Precio por unidad : 6,97000 €
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 423
Precio por unidad : 6,46000 €
Hoja de datos

Similar


Infineon Technologies
En stock: 326
Precio por unidad : 6,02000 €
Hoja de datos

Similar


Infineon Technologies
En stock: 280
Precio por unidad : 6,77000 €
Hoja de datos

Similar


Infineon Technologies
En stock: 248
Precio por unidad : 4,78000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 98
Precio por unidad : 8,12000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 300
Precio por unidad : 17,12000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 30
Precio por unidad : 33,81000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : 14,16177 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : 9,05007 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 38
Precio por unidad : 24,62000 €
Hoja de datos

Similar


Vishay Siliconix
En stock: 0
Precio por unidad : 3,99512 €
Hoja de datos

Similar


Infineon Technologies
En stock: 524
Precio por unidad : 7,46000 €
Hoja de datos
AOK20B65M2
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

AOK42S60L

N.º de producto de DigiKey
785-1535-5-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
AOK42S60L
Descripción
MOSFET N-CH 600V 39A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 39A (Tc) 417W (Tc) TO-247
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
99mOhm a 21A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2154 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

Obsoleto
Este producto ya no se fabrica. Ver Reemplazos.