Vishay / Siliconix

MOSFET de potencia TrenchFET® optimizado para controladores de compuerta estándar

El MOSFET de 60 V de Vishay aumenta la eficiencia y la densidad de potencia en un paquete PowerPAK® 1212-8S

El MOSFET de potencia de canal N Gen IV TrenchFET de 60 V de Imagen del MOSFET de potencia de 60 V de Vishay/Siliconix optimizado para controladores de compuerta estándarVishay es el primer MOSFET de la industria que está optimizado para controladores de compuerta estándar al proporcionar una resistencia máxima en estado encendido de hasta 4 mΩ a 10 V en el paquete PowerPAK 1212-8S de 3.3 mm por 3.3 mm mejorado térmicamente. Diseñado para aumentar la eficiencia y la densidad de potencia en las topologías de conmutación, el SiSS22DN de Vishay Siliconix presenta un QOSS bajo y una carga de compuerta de 22.5 nC.

Características
  • La resistencia de encendido máxima de hasta 4 mΩ a 10 V minimiza las pérdidas de conducción
  • Un bajo QOSS de 34.2 nC y una carga de compuerta de 22.5 nC reducen las pérdidas de potencia producto de la conmutación
  • Se ofrece en un paquete compacto PowerPAK® 1212-8S de 3.3 mm por 3.3 mm
  • 100 % probado en RG y UIS, cumple con la directiva RoHS y está libre de halógenos
Aplicaciones
  • Rectificación sincrónica en topologías de CA/CC y CC/CC
  • Conmutación del lado primario en convertidores de CC/CC, etapas de potencia de MOSFET de medio puente en convertidores reductores-elevadores y funcionalidad OR-ing en fuentes de alimentación de telecomunicaciones y servidores
  • Control de accionamiento del motor y protección del circuito en herramientas eléctricas y equipos industriales
  • Protección de batería y carga en módulos de gestión de batería

TrenchFET® 60 V Power MOSFET

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAKSISS22DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK5737 - Inmediata$1.96Ver detalles
Publicado: 2019-08-14