MOSFET PowerPAIR® de 30 V y de 3 x 3

Vishay Siliconix anuncia un nuevo MOSFET de potencia TrechFET doble, asimétrico y de 30 V en el paquete PowerPAIR^® de 3 mm por 3 mm utilizando la tecnología TrenchFET Gen IV. Al proporcionar un 57% menos de resistencia en estado encendido, hasta 25% más de alta densidad de potencia y 5% más de eficiencia que los dispositivos de la generación anterior en este tamaño del paquete, el SiZ340DT de Vishay Siliconix ayuda a reducir la pérdida de energía, ahorrar espacio y simplificar el diseño de convertidores reductores síncronos y altamente eficientes mediante la combinación de un MOSFET de lado alto y bajo en un paquete compacto. La tecnología TrenchFET Gen IV de SiZ340DT utiliza un diseño avanzado de alta densidad para reducir la resistencia en estado encendido y optimizar las cargas de compuerta. Al reducir la pérdida de energía significativamente, el SiZ340DT demuestra mayor eficacia que los competidores, especialmente para las corrientes de salida de 10 A y superior. Con esta mayor eficiencia, el SiZ340DT puede funcionar con una refrigeración 30% mayor que los dispositivos de generaciones anteriores a la misma carga de salida, o proporcionar mayor densidad de energía. Para topologías típicas de CC/CC con la corriente de salida de 10 a 15 A y una tensión de salida por debajo de 2 V, el área compacta de 3 mm por de SiZ340DT potencialmente ahorra hasta 77% del espacio de la placa CI comparado con soluciones discretas, como un MOSFET PowerPAK^® 1212-8 para el lado alto y un PowerPAK SO-8 para el lado bajo. Al reducir las pérdidas de conmutación , el dispositivo permite frecuencias de conmutación más altas de 450 kHz para reducir el tamaño de la placa CI, habilitando inductores y condensadores más pequeños.