FET SiC UF3SC con <10 mΩ RDS(on)

Los UF3SC SiC FET de onsemi con niveles de R_DS(ON) de 7 mΩ a 650 V y 10 mΩ a 1200 V de UnitedSiC brindan niveles sin precedentes de rendimiento y eficiencia para el uso en alta potencia. Estos dispositivos SiC FET de alto rendimiento se basan en una configuración de circuito Cascode único en el que un SiC JFET normalmente abierto se empaqueta con un MOSFET de Si para producir un dispositivo FET Sic normalmente cerrado. Las características estándar de accionamiento de la compuerta del dispositivo permiten una verdadera sustitución de los IGBT de Si, los FET de Si, los MOSFET de SiC o los dispositivos de superunión de Si. Disponibles en el paquete TO-247-4L, estos dispositivos presentan una carga de compuerta ultrabaja y unas características de recuperación inversa excepcionales, lo que los hace ideales para la conmutación de cargas inductivas y cualquier aplicación que requiera un accionamiento de puerta estándar.