Los FET de SiC Gen 4 de 750 V ayudan a ofrecer diseños de energía de próxima generación.

Basada en una configuración única en cascada, la serie UJ4C/SC de FET de SiC de Generación 4 de onsemi tiene una potencia nominal de 750 V y está disponible en opciones de 6 mΩ a 60 mΩ. Estos dispositivos ofrecen excelentes figuras de mérito que reducen las pérdidas de conducción y aumentan la eficiencia a mayor velocidad, al tiempo que mejoran la rentabilidad general. Se mejora el rendimiento de conmutación y Q_rr, al igual que las pérdidas de E_on y E_off en cada R_DS(on). Además, niveles reducidos en E_oss y C_oss ofrecen bajas pérdidas totales. Estos dispositivos se pueden accionar de forma segura con un voltaje de accionamiento de compuerta estándar de 0 V a 12 V o 15 V. Se mantiene un buen margen de ruido de umbral con un voltaje de umbral real de 5 V y, al igual que las generaciones anteriores, estos FET de SiC se pueden operar con todos los voltajes de accionamiento típicos de los IGBT Si, MOSFET Si y MOSFET SiC. También incluyen una abrazadera de protección de puerta ESD incorporada. Todos los dispositivos se califican conforme a AEC-Q101.