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FET de 35 mΩ y 240 mΩ, de 650 V TP65H SuperGaN™
Los FET Gen IV de Transphorm con calificación JEDEC se ofrecen en paquetes TO-247 y PQFN
Los FET Gen IV SuperGaN™ de 650 V de 
Transphorm incluyen dos robustos dispositivos con clasificación JEDEC. El TP65H035G4WS ofrece una resistencia de encendido típica de 35 mΩ en un paquete TO-247. El TP65H300G4LSG ofrece una resistencia de encendido típica de 240 mΩ en un paquete PQFN88. Los sistemas de alimentación que usan FET SuperGaN pueden alcanzar una eficiencia superior al 99 % cuando se usan con corrección de factor de potencia (TFC) de tótem sin puente. Los beneficios incluyen una cifra mejorada de mérito de ~10 %; capacidades mejoradas de corriente de entrada; y una capacidad de diseño más simple dado que ya no se requieren amortiguadores de nodo de conmutación a altas corrientes de funcionamiento.
TP65H SuperGaN™ 650 V 35 mΩ and 240 mΩ FETs
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Rds On (máx) @ Id, Vgs | Vgs(th) (máx) a Id | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TP65H035G4WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | 46.5A (Tc) | 41 mOhm a 30A, 10V | 4.8V a 1mA | 626 - Inmediata | $16.29 | Ver detalles |
|  | TP65H300G4LSG-TR | GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN | 6.5A (Tc) | 312mOhm a 5A, 8V | 2.6V a 500µA | 0 - Inmediata | See Page for Pricing | Ver detalles |
Publicado: 2020-07-28
España