Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

MOSFET de bajo voltaje UMOS 11

Los MOSFET de bajo voltaje UMOS11 de Toshiba proporcionan una conmutación eficiente, menores pérdidas y un diseño más inteligente

Imagen de los MOSFET de bajo voltaje de UMOS11 de ToshibaEl proceso UMOS-11 de bajo voltaje de Toshiba está diseñado para ayudar a los ingenieros a satisfacer las crecientes demandas de eficiencia energética, diseño compacto y rendimiento de conmutación confiable.

Construido sobre una estructura de trinchera mejorada, UMOS 11 ofrece una RDS(on) más baja, un Qoss y un QRR reducidos, y un mejor comportamiento de conmutación general, lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones que van desde convertidoresde CC/CC y accionamientos de motor hasta fuentes de alimentación para servidores y otras fuentes de alimentación conmutadas.

Este proceso cubrirá una amplia variedad de voltajes y paquetes, desde 40 V hasta 100 V, en paquetes de 5 mm x 6 mm y 3 mm x 3 mm.

Características
  • La resistencia en estado encendido más baja de la familia es de 0.52 mΩ (máx.) (VGS=10 V)
  • Baja RDS(ON) x QOSS y baja RDS(ON) x QRR
  • Alta eficiencia en fuentes de alimentación de modo conmutado
  • Voltaje de umbral ajustado para un funcionamiento fiable
  • El diodo de alta velocidad incorporado ofrece una pérdida de recuperación inversa mejorada
  • Funcionamiento a alta temperatura hasta +175 °C
Aplicaciones
  • Convertidores de CC/CC
  • Fuentes de alimentación conmutadas (servidores de centros de datos, equipos de comunicaciones y más)
  • Controles del motor
  • Conmutación de carga
Contenidos adicionales

Imagen de los MOSFET de bajo voltaje de UMOS11 de Toshiba

UMOS 11 Low Voltage MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1TPH2R70AR5,LQN-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@19945 - Inmediata$1.33Ver detalles
Publicado: 2025-09-26