Solución de multiplexor de potencia de 5 V - 24 V

MOSFET de drenaje común como multiplexor de alimentación y controlador de puerta de lado alto de Toshiba

Imagen de la solución de multiplexor de potencia de ToshibaLos CI controladores de compuerta de la serie TCK42xG de Toshiba ayudan a conseguir conmutaciones de baja pérdida Break-Before-Make (BBM) y Make-Before-Break (MBB). Aplicaciones como smartphones, dispositivos de vestir, IoT y sistemas de consolas domésticas suelen tener varias fuentes de alimentación de entrada, desde inalámbricas a USB-PD o baterías internas. La multiplexación de diferentes fuentes de alimentación de entrada es un requisito clave dentro del circuito de gestión de potencia.

A grandes rasgos, BBM y MBB son los métodos de conmutación de salida de los circuitos multiplexores de potencia. BBM conmuta la salida después de caer a 0 V, y es adecuado para aplicaciones que desean evitar el flujo de corriente inversa a la entrada durante la conmutación de salida, como los circuitos de carga de baterías. MBB conmuta la salida sin caer a 0 V y es adecuado para aplicaciones en las que debe mantenerse la fuente de alimentación, como circuitos de audio o alimentación de respaldo. El aumento del consumo de energía y la ampliación de la funcionalidad de los dispositivos exigen que éstos dispongan de una conmutación BBM y MBB eficiente para ahorrar energía.

El TCK42xG aplica el voltaje óptimo a la puerta de los MOSFET de canal N de baja resistencia a la conexión para conseguir una conmutación más eficiente y compacta que los CI monolíticos. Además, la serie TCK42xG ofrece prevención de flujo inverso durante la conmutación BBM/MBB al ser compatible con MOSFET de drenaje común.

Contenidos adicionales
  • Ejemplo de circuito MOSFET de canal N con conexión de drenaje común
  • Imagen de la conexión de drenaje común de Toshiba

  • Ejemplo de circuito de aplicación para multiplexor de potencia
  • Imagen del MOSFET de drenaje común de Toshiba

  • Método de conmutación de la salida del multiplexor de potencia de 5 V (VINA) a 20 V (VINB)
  • Imagen del ejemplo de circuito MOSFET de canal N con conexión de drenaje común de Toshiba  
Características
  • Permite crear multiplexor de alimentación BBM o MBB
  • Admite una línea de alimentación de 5 V a 24 V
  • Bloqueo por sobretensión (OVLO) y bloqueo por subtensión (UVLO)
  • Tamaño reducido
Aplicaciones
  • Teléfonos inteligentes
  • Dispositivos de vestir
  • SSD
  • Dispositivos móviles
  • Altavoces inteligentes
  • Dispositivos de IoT
  • Tabletas
  • Dispositivos siempre activos

Drain common MOSFET

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13SSM10N954L,EFFCOMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 139825 - Inmediata$0.84Ver detalles
MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPASSM6N951L,EFFMOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA0 - Inmediata$1.30Ver detalles

Gate Driver

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IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK421G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG0 - Inmediata$0.59Ver detalles

MOSFET Gate Driver

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IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK421G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG0 - Inmediata$0.59Ver detalles
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK420G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG13037 - Inmediata$0.59Ver detalles
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK422G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG1305 - Inmediata$0.59Ver detalles
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK423G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG113 - Inmediata$0.59Ver detalles
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK424G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG5000 - Inmediata$0.59Ver detalles
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK425G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG285 - Inmediata$0.59Ver detalles

Zener Diodes

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TVS DIODE 5.6VWM 9VC USCCUZ5V6,H3FTVS DIODE 5.6VWM 9VC USC16305 - Inmediata$0.19Ver detalles
TVS DIODE 6.2VWM 10VC USCCUZ6V2,H3FTVS DIODE 6.2VWM 10VC USC5516 - Inmediata$0.14Ver detalles
TVS DIODE 6.8VWM 13VC USCCUZ6V8,H3FTVS DIODE 6.8VWM 13VC USC3138 - Inmediata$0.15Ver detalles
TVS DIODE 8.2VWM 16.5VC USCCUZ8V2,H3FTVS DIODE 8.2VWM 16.5VC USC3049 - Inmediata$0.11Ver detalles
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TVS DIODE 16VWM 27VC USCCUZ16V,H3FTVS DIODE 16VWM 27VC USC3975 - Inmediata$0.11Ver detalles
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TVS DIODE 24VWM 36.5VC USCCUZ24V,H3FTVS DIODE 24VWM 36.5VC USC1725 - Inmediata$0.11Ver detalles
TVS DIODE 30VWM 47.5VC USCCUZ30V,H3FTVS DIODE 30VWM 47.5VC USC0 - Inmediata$0.17Ver detalles
TVS DIODE 36VWM 63VC USCCUZ36V,H3FTVS DIODE 36VWM 63VC USC7213 - Inmediata$0.16Ver detalles
Actualizado: 2026-02-02
Publicado: 2022-02-04