MOSFET industriales serie U-MOSVIII-H

MOSFET industriales serie U-MOSVIII-H de Toshiba de 60 V y 100 V con RDS (encendido) y baja pérdida de conmutación para aplicaciones industriales y de iluminación.

Imagen de MOSFET industriales U-MOSVIII serie H de ToshibaToshiba ofrece los MOSFET de potencia industrial serie SSM3K341 de 60 V y serie SSM3K361 de 100 V con baja resistencia de encendido, aptos para la conmutación de carga en televisión e iluminación industrial. También son buenos candidatos para sistemas de automatización industrial que requieren bajas a medianas cantidades de energía.

El aumento de la demanda para ledes de ahorro de energía ha llevado al creciente uso de MOSFET de canal N como interruptores para controladores de LED. LAs series SSM3K341R y SSM3K361R de Toshiba abordan esta demanda con las mejores calificaciones RDS (ON) típicas de la industria para un paquete SOT-23F (@VGS = 4,5 V) de 36 mΩ y mΩ 65, respectivamente, según un estudio interno de Toshiba realizado en 2016. Además, ambos dispositivos soportan una temperatura máxima del canal de +175° C, lo cual les permite ser utilizados en una amplia gama de aplicaciones industriales exigentes. También están disponibles en un paquete UDFN6 que es más compacto, sin embargo proporciona disipación de calor superior a través de una gran cápsula de metal en la parte inferior.

El paquete SOT-23F reduce la disipación de calor resultante de la pérdida de encendido por aproximadamente el 65 por ciento en comparación con productos anteriores de Toshiba. El tamaño pequeño del paquete de estos MOSFET mantiene el mismo nivel de disipación de calor reduciendo la huella global de aproximadamente el 64 por ciento en comparación con un paquete SOT-89 convencional. El TSOP6F es un paquete de alto rendimiento similar para SSM6N815R que alberga dos MOSFET de canal N de 100 V.

Características
  • MOSFET de potencia canal N de tamaño pequeño
  • Paquetes SOT-23F estándar de industria
  • Adecuado para aplicaciones de 60 V/6 A y 100 V/3,5 A
  • Resistencia a alta temperatura, hasta +175° C de temperatura de canal
  • Líderes en la industria en resistencia de encendido
    • La resistencia de encendido de SSM3K341R y SSM6K341NU es de 36 mΩ típica.
    • La resistencia de encendido de SSM3K361R y SSM6K361NU es de 65 mΩ típica.
Aplicaciones
  • Automatización industrial de alta temperatura
  • Interruptores sincrónicos y asincrónicos para circuitos elevadores
  • LED blanco de luz de fondo para las pantallas de TV
  • Interruptor de carga encendido/apagado de alto voltaje

60 V and 100 V U-MOSVIII-H Series Industrial MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónVoltaje de drenaje a fuente (Vdss)Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºCVoltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)Cantidad disponiblePrecioVer detalles
MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23FSSM3K341R,LFMOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F60 V6H (Ta)4V, 10V168475 - Inmediata$0.64Ver detalles
MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNBSSM6K341NU,LFMOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB60 V6H (Ta)4V, 10V11677 - Inmediata$0.65Ver detalles
MOSFET N-CH 60V 6A UFMSSM3K341TU,LFMOSFET N-CH 60V 6A UFM60 V6H (Ta)4V, 10V41439 - Inmediata$0.63Ver detalles
MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23FSSM3K361R,LFMOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F100 V3.5H (Ta)4.5V, 10V14321 - Inmediata$0.70Ver detalles
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNBSSM6K361NU,LFMOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB100 V3.5H (Ta)4.5V, 10V12393 - Inmediata$0.64Ver detalles
MOSFET N-CH 100V 3.5A UFMSSM3K361TU,LFMOSFET N-CH 100V 3.5A UFM100 V3.5H (Ta)4.5V, 10V7879 - Inmediata$0.65Ver detalles
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPFSSM6N815R,LFMOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPFCompuerta de nivel lógico, controlador de 4V100V2H (Ta)32049 - Inmediata$0.64Ver detalles
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOPSSM6J801R,LFMOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP20 V6H (Ta)1.5V, 4.5V5284 - Inmediata$0.40Ver detalles
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23FSSM3J356R,LFMOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F60 V2H (Ta)4V, 10V170572 - Inmediata$0.38Ver detalles
MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23FSSM3J351R,LFMOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F60 V3.5H (Ta)4V, 10V6179 - Inmediata$0.50Ver detalles
Publicado: 2018-07-30