MOSFET de eficiencia ultra alta de 40 V y 45 V

Toshiba ha ampliado la familia de MOSFET de bajo voltaje y eficiencia ultra alta al añadir nuevos dispositivos de 40 V y 45 V a la línea de productos existente de la empresa. Todos estos dispositivos estarán disponibles en opciones de paquete SOP advance y ultra compactos que ofrecen una baja resistencia en modo encendido, Q_OSS bajo para mayor eficiencia en fuentes de alimentación de modo de conmutación en estaciones base, servidores o equipos industriales.

Compuesto por dispositivo de 40 V y uno de 45 V, el MOSFET de canal N se basa en proceso de semiconductores de trinchera U-MOS IX-H de la próxima generación de Toshiba. Este proceso ha sido diseñado para entregar 'mejor' eficiencia en una amplia gama de condiciones de carga al reducir la resistencia ON(R_{RDS (ON)}) y al mejorar la eficiencia de conmutación mediante la reducción de carga de salida (Q_OSS).

Los MOSFET ayudan a los diseñadores a reducir las pérdidas y el espacio en placa en una variedad de circuitos de gestión de potencia incluyendo la conmutación de lado alto y bajo en la conversión CC-CC y la rectificación síncrona de lado secundario en diseños de conmutación CA-CC. Las tecnologías también son ideales para control del motor y para módulos de circuito de protección en equipos electrónicos basados en pilas iones de litio (Li-ion).

A una tensión (VGS) de 10 V, la máxima clasificación R_{RDS (ON)} para el MOSFET de 40 V es 1.24 mΩ, mientras el C_OSS típico es 1300 PF. El MOSFET de 45 V ofrece R_{RDS (ON)} y clasificación C _OSS típica es 1.04 mΩ y 1860 PF. Esto asegura mayor flexibilidad para optimizar el rendimiento en una aplicación determinada.

Los dos MOSFET IX-H UMOS están disponibles en paquete SOP avanzado de montaje en superficie de bajo perfil. Todos los MOSFET pueden funcionar con canales temperaturas hasta 175° C.