Soluciones lineales y lógicas

Little Logic

Los dispositivos Little Logic de Texas Instruments (TI) son las piezas que ayudan a completar el rompecabezas de diseño y ganar en el mercado actual.

• Piezas más pequeñas, comercialización más rápida
• Varias piezas, selección integral
• Todas las piezas, todo el tiempo
• Mejores piezas, centralización en el cliente

SN74AUP1G06DRYR

Búfer y controlador inversor único de baja potencia con salidas de drenaje abierto

Haga clic aquí para obtener más información.

• Disponible en el paquete NanoStar™ de Texas Instruments
• Bajo consumo de energía estática (I_CC = 0.9 µA máx.)
• Bajo consumo de energía dinámica (C_pd = 1 pF típ. a 3.3 V)
• Baja capacitancia de entrada (C_i = 1.5 pF típ.)
• Ruido bajo: Sobreimpulso y subimpulso <10% de V_CC
• I_off admite la operación en modo pérdida de potencia parcial
• La histéresis de entrada permite una transición de entrada lenta y una mejor inmunidad al sonido de conmutación en la entrada (V_hys = 250 mV típ. a 3.3 V)
• Amplio Rango V_CC de operación de 0.8 V a 3.6 V
• Optimizado para operaciones de 3.3 V
• Tolerante a 3.6 V E/S para admitir operaciones de señal de modo mixto.
• t_pd = 3.6 ns máx. a 3.3 V
• Apto para aplicaciones punto a punto
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74AUP1G07DRYR

Búfer y controlador único de baja potencia con salidas de drenaje abierto

Haga clic aquí para obtener más información.

• Disponible en el paquete NanoStar™ de Texas Instruments
• Bajo consumo de energía estática (I_CC = 0.9 µ máximo)
• Bajo consumo de energía dinámica (C_pd = 1 pF típico a 3.3 V)
• Baja capacitancia de entrada (C_i = 1.5 pF típico)
• Ruido bajo: Sobreimpulso y subimpulso <10% de V_CC
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• La histéresis de entrada permite una transición de entrada lenta y una mejor inmunidad al sonido de conmutación en la entrada (V_hys = 250 mV típ. a 3.3 V)
• Amplio Rango V_CC de operación de 0.8 V a 3.6 V
• Optimizado para operaciones de 3.3 V
• Tolerante a 3.6 V E/S para admitir operaciones de señal de modo mixto.
• t_pd = 3.3 ns máximo a 3.3 V
• Apto para aplicaciones punto a punto
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74AUP1G80DRYR

Biestable único del tipo D accionado con flanco positivo de baja potencia

Haga clic aquí para obtener más información.

• Disponible en el paquete NanoStar™ de Texas Instruments
• Bajo consumo de energía estática (I_CC = 0.9 µA máx.)
• Bajo consumo de energía dinámica (C_pd = 4.3 pF típ. a 3.3 V)
• Baja capacitancia de entrada (C_i = 1.5 pF típ.)
• Ruido bajo: Sobreimpulso y subimpulso <10% de V_CC
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• La acción de disparador Schmitt permite una transición de entrada lenta y una mejor inmunidad al sonido de conmutación en la entrada (Vhys = 250 mV típ. a 3.3 V)
• Amplio Rango V_CC de operación de 0.8 V a 3.6 V
• Optimizado para operaciones de 3.3 V
• Tolerante a 3.6 V E/S para admitir operaciones de señal de modo mixto.
• t_pd = 4.4 ns máx. a 3.3 V
• Apto para aplicaciones punto a punto
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74AUP1G00DSFR

Compuerta única de baja potencia y dos entradas positivas NAND

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• Disponible en el paquete NanoStar™ de Texas Instruments
• Bajo consumo de energía estática (I_CC = 0.9 µA máx.)
• Bajo consumo de energía dinámica (C_pd = 4 pF típ. a 3.3 V)
• Baja capacitancia de entrada (C_i = 1.5 pF típ.)
• Sobreimpulso y subimpulso de ruido bajo <10% de V_CC
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• La histéresis de entrada permite una transición de entrada lenta y una mejor inmunidad al sonido de conmutación en la entrada (V_hys = 250 mV típ. a 3.3 V)
• Amplio Rango V_CC de operación de 0.8 V a 3.6 V
• Optimizado para operaciones de 3.3 V
• Tolerante a 3.6 V E/S para admitir operaciones de señal de modo mixto.
• t_pd = 4.8 ns máx. a 3.3 V
• Apto para aplicaciones punto a punto
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74AUP1G02DSFR

Compuerta única de baja potencia y dos entradas positivas NOR

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• Disponible en el paquete NanoStar™ de Texas Instruments
• Bajo consumo de energía estática (I_CC = 0.9 µA máx.)
• Bajo consumo de energía dinámica (C_pd = 4.3 pF típ. a 3.3 V)
• Baja capacitancia de entrada (C_i = 1.5 pF típ.)
• Ruido bajo: Sobreimpulso y subimpulso <10% de V_CC
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• La histéresis de entrada permite una transición de entrada lenta y una mejor inmunidad al sonido de conmutación en la entrada (V_hys = 250 mV típ. a 3.3 V)
• Amplio Rango V_CC de operación de 0.8 V a 3.6 V
• Optimizado para operaciones de 3.3 V
• Tolerante a 3.6 V E/S para admitir operaciones de señal de modo mixto.
• t_pd = 4.6 ns máx. a 3.3 V
• Apto para aplicaciones punto a punto
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74AUP1G07DSFR

Búfer y controlador único de baja potencia con salidas de drenaje abierto

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• Disponible en el paquete NanoStar™ de Texas Instruments
• Bajo consumo de energía estática (I_CC = 0.9 µ máximo)
• Bajo consumo de energía dinámica (C_pd = 1 pF típico a 3.3 V)
• Baja capacitancia de entrada (C_i = 1.5 pF típico)
• Ruido bajo: Sobreimpulso y subimpulso <10% de V_CC
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• La histéresis de entrada permite una transición de entrada lenta y una mejor inmunidad al sonido de conmutación en la entrada (V_hys = 250 mV típ. a 3.3 V)
• Amplio Rango V_CC de operación de 0.8 V a 3.6 V
• Optimizado para operaciones de 3.3 V
• Tolerante a 3.6 V E/S para admitir operaciones de señal de modo mixto.
• t_pd = 3.3 ns máximo a 3.3 V
• Apto para aplicaciones punto a punto
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74AUP1G32

Compuerta única de baja potencia y dos entradas positivas OR

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• Disponible en el paquete NanoStar™ de Texas Instruments
• Bajo consumo de energía estática (I_CC = 0.9 µA máx.)
• Bajo consumo de energía dinámica (C_pd = 4.3 pF típ. a 3.3 V)
• Baja capacitancia de entrada (C_i = 1.5 pF típ.)
• Ruido bajo: Sobreimpulso y subimpulso <10% de V_CC
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• La histéresis de entrada permite una transición de entrada lenta y una mejor inmunidad al sonido de conmutación en la entrada (V_hys = 250 mV típ. a 3.3 V)
• Amplio Rango V_CC de operación de 0.8 V a 3.6 V
• Optimizado para operaciones de 3.3 V
• Tolerante a 3.6 V E/S para admitir operaciones de señal de modo mixto.
• t_pd = 4.6 ns máx. a 3.3 V
• Apto para aplicaciones punto a punto
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74AUP1G74

Biestable único del tipo D accionado con flanco positivo de baja potencia

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• Disponible en el paquete NanoStar™ de Texas Instruments
• Bajo consumo de energía estática (I_CC = 0.9 µA máx.)
• Bajo consumo de energía dinámica (C_pd = 5.5 pF típ. a 3.3 V)
• Baja capacitancia de entrada (C_i = 1.5 pF típ.)
• Ruido bajo: Sobreimpulso y subimpulso <10% de V_CC
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• La acción de disparador Schmitt permite una transición de entrada lenta y una mejor inmunidad al sonido de conmutación en la entrada (V_hys = 250 mV típ. en 3.3 V)
• Amplio Rango V_CC de operación de 0.8 V a 3.6 V
• Optimizado para operaciones de 3.3 V
• Tolerante a 3.6 V E/S para admitir operaciones de señal de modo mixto.
• t_pd = 5 ns máx. a 3.3 V
• Apto para aplicaciones punto a punto
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74AUP1G79

Biestable único del tipo D accionado con flanco positivo de baja potencia

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• Disponible en el paquete NanoStar™ de Texas Instruments
• Bajo consumo de energía estática (
  I_CC = 0.9 µA máx.)
• Bajo consumo de energía dinámica (
  C_pd = 3 pF típ. a 3.3 V)
• Baja capacitancia de entrada (
  C_i = 1.5 pF típ.)
• Sobreimpulso y subimpulso de ruido bajo
  <10% de V_CC
• I_off admite la operación en modo pérdida de potencia parcial
• La histéresis de entrada permite una transición de entrada lenta y una mejor inmunidad al
  sonido de conmutación en la entrada (V_hys = 250 mV típ. a 3.3 V)
• Amplio Rango V_CC de operación de 0.8 V a 3.6 V
• Optimizado para operaciones de 3.3 V
• Tolerante a 3.6 V E/S para admitir operaciones de señal de modo mixto.
• t_pd = 4 ns máx. a 3.3 V
• Apto para aplicaciones punto a punto
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V
    (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74LVC1G04

Inversor simple

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• Disponible en el paquete NanoFree™ de Texas Instruments
• Admite la operación V_CC de 5 V
• Las entradas aceptan voltajes hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 3.3 ns a 3.3 V
• Bajo consumo de energía, 10 µA máx. I_CC
• Controlador de salida de ±24 mA a 3.3 V
• I_off admite la inserción directa, el modo de pérdida de
  potencia parcial y la protección de controlador.
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74LVC1G07

Búfer y controlador único con salida de drenaje abierto

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• Disponible en el paquete
  NanoFree de Texas Instruments
• Admite la operación V_CC de 5 V
• La entrada y la salida de drenaje abierto aceptan
  voltajes de hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 4.2 ns a 3.3 V
• Bajo consumo de energía, 10 µA máx. I_CC
• Controlador de salida de ±24 mA a 3.3 V
• I_off admite la
  operación en modo de pérdida de potencia parcial
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por
  JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74LVC1G08

Compuerta simple de dos entradas positivas AND

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• Disponible en el paquete NanoFree™ de Texas Instruments
• Admite la operación V_CC de 5 V
• Las entradas aceptan voltajes hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 3.6 ns a 3.3 V
• Bajo consumo de energía, 10 µA máx. I_CC
• Controlador de salida de ±24 mA a 3.3 V
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74LVC1G14

Inversor simple de disparador Schmitt

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• Disponible en el paquete NanoStar y NanoFree de Texas Instruments
• Admite la operación V_CC de 5 V
• Las entradas aceptan voltajes hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 4.6 ns a 3.3 V
• Bajo consumo de energía, 10 µA máx. I_CC
• Controlador de salida de ±24 mA a 3.3 V
• I_off admite la inserción directa, el modo de pérdida de potencia parcial y la protección de controlador.
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74LVC1G17

Búfer simple de disparador Schmitt

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• Disponible en el paquete NanoFree de Texas Instruments
• Admite la operación V_CC de 5 V
• Las entradas aceptan voltajes hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 4.6 ns a 3.3 V
• Bajo consumo de energía, 10 µA máx. I_CC
• Controlador de salida de ±24 mA a 3.3 V
• I_off admite la inserción directa, el modo de pérdida de potencia parcial y la protección de controlador.
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74LVC1G32

Compuerta única de dos entradas positivas OR

Haga clic aquí para obtener más información.

• Disponible en el paquete NanoStar™ y NanoFree™ de Texas Instruments
• Admite la operación V_CC de 5 V
• Las entradas aceptan voltajes hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 3.6 ns a 3.3 V
• Bajo consumo de energía, 10 µA máx. I_CC
• Controlador de salida de ±24 mA a 3.3 V
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74LVC1G123

Multivibrador monoestable reaccionable simple con entradas de disparador Schmitt

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• Disponible en el paquete NanoFree™ de Texas Instruments
• Admite la operación V_CC de 5 V
• Las entradas aceptan voltajes hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 8 ns a 3.3 V
• Admite la operación de voltaje de modo mixto en todos los puertos
• Circuitería de disparador Schmitt en las entradas A y B para tasas de transición de entradas lentas
• Borde disparado desde entradas lógicas con compuertas activas bajas o activas altas
• Reaccionable para pulsos de salida muy largos, hasta 100% del ciclo de trabajo
• Predominancia del pulso de salida de terminadores claro
• Reinicio de potenciadores sin fallos en las salidas
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74LVC1G125

Compuerta de búfer de bus simple con salidas de 3 estados

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• Disponible en el paquete NanoFree™ de Texas Instruments
• Admite la operación V_CC de 5 V
• Las entradas aceptan voltajes hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 3.7 ns a 3.3 V
• Bajo consumo de energía, 10-µA máx. I_CC
• Controlador de salida de ±24 mA a 3.3 V
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74LVC1G332

Compuerta única de tres entradas positivas OR

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• Disponible en el paquete NanoStar™ y NanoFree™ de Texas Instruments
• Admite la operación V_CC de 5 V
• Las entradas aceptan voltajes hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 4.5 ns a 3.3 V
• Bajo consumo de energía, 10 µA máx. I_CC
• Controlador de salida de ±24 mA a 3.3 V
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por
  JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74LVC2G08

Compuerta dual de dos entradas positivas AND

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• Disponible en el paquete NanoFree™ de Texas Instruments
• Admite la operación V_CC de 5 V
• Las entradas aceptan voltajes hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 4.7 ns a 3.3 V
• Bajo consumo de energía, 10 µA máx. I_CC
• Controlador de salida de ±24 mA a 3.3 V
• V_OLP típico (Rebote en tierra de salida) <0.8 V a V_CC = 3.3 V, T_A = 25 °C
• V_OHV típico (subimpulso V_OH de salida)>2 V a V_CC = 3.3 V, T_A = 25 °C
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

Lógico

Texas Instruments (TI), el líder mundial en lógica, ofrece una amplia gama de funciones lógicas y tecnologías que incluye desde las líneas de semiconductores de metal-óxido complementario bipolar (BiCMOS) y bipolar maduro hasta las líneas más avanzadas de CMOS. TI ofrece tecnologías de procesamiento con el desempeño y las características lógicos necesarios en los mercados electrónicos actuales y, al mismo tiempo, mantiene el soporte para los productos lógicos tradicionales. Las ofertas de productos de TI incluyen las siguientes tecnologías de procesamiento o líneas de dispositivos:

• AC, ACT, AHC, AHCT, ALVC, AUC, AUP, AVC, FCT, HC, HCT, LV-A, LV-AT, LVC, TVC
• ABT, ABTE, ALB, ALVT, BCT, HSTL, LVT
• BTA, CB3Q, CB3T, CBT, CBT-C, CBTLV, FB, FIFO, GTL, GTLP, JTAG, I²C, VME
• ALS, AS, F, LS, S, TTL

SN74LVC00ARGYR

Compuerta cuádruple de 2 entradas positivas NAND

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• Opera desde 1.65 V a 3.6 V
• Especificado desde -40 °C hasta 85 °C, desde -40 °C hasta 125 °C, y desde -55 °C hasta 125 °C
• Las entradas aceptan voltajes hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 4.3 ns a 3.3 V
• V_OLP típico (Rebote en tierra de salida) <0.8 V a V_CC = 3.3 V, T_A = 25 °C
• V_OHV típico (subimpulso V_OH de salida)>2 V a V_CC = 3.3 V, T_A = 25 °C
• El rendimiento de Latch-up supera los 250 mA por JESD 17, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74LVC06ARGYR

Búferes y controladores inversores hexagonales con salidas de drenaje abierto

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• Opera desde 1.65 V a 3.6 V
• Especificado desde -40 °C hasta 85 °C, desde -40 °C hasta 125 °C, y desde -55 °C hasta 125 °C
• La entrada y la salida de drenaje abierto aceptan voltajes de hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 3.7 ns a 3.3 V
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• El rendimiento de Latch-up supera los 250 mA por JESD 17,

SN74LVC08ARGYR

Compuerta cuádruple de dos entradas positivas AND

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• Opera desde 1.65 V a 3.6 V
• Especificado desde -40°C hasta 85 °C, desde -40°C hasta 125 °C, y desde -55°C hasta 125 °C
• Las entradas aceptan voltajes hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 4.1 ns a 3.3 V
• V_OLP típico (Rebote en tierra de salida) <0.8 V a V_CC = 3.3 V, T_A = 25 °C
• V_OHV típico (subimpulso V_OH de salida)>2 V a V_CC = 3.3 V, T_A = 25 °C
• El rendimiento de Latch-up supera los 250 mA por JESD 17,
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

TS3L110

Interruptor cuád. SPDT de alto ancho de banda de red LAN de 10/100 Base-T diferencial Multiplexor y Demultiplexor de cuatro a ocho canales

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• Ancho de banda amplio (BW = 500 MHz típ.)
• Diafonía baja (X_TALK = –30 dB típ.)
• Flujos de datos bidireccionales con retardo de propagación casi nulo
• Resistencia en estado ON (encendido) baja y plana (r_on = 4 Ω)
• Interruptor en los puertos de E/S de datos (0 a 5 V)
• Rango de operación V_CC: 3 V a 3.6 V
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• Las entradas de control y de datos tienen diodos de sujeción de subimpulso
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)
• Apto para señales 10Base-T y 100Base-T

CD4011B

Compuerta NAND de doble entrada cuád. CMOS

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• Tiempo de retardo de propagación = 60 ns (típ.) a C_L = 50 pF, V_DD = 10 V
• Entradas y salidas con búfer
• Características de salidas simétricas estandarizadas
• Corriente de entrada máxima de 1 µA a 18 V con rango de temperatura del paquete saturado; 100 nA a 18 V y 25 °C
• Controlado al 100% con corriente de reposo a 20 V
• Clasificación paramétrica de 5 V, 10 V y 15 V
• Margen de ruido (con rango de temperatura del paquete saturado:
  1 V en V_DD = 5 V
  2 V en V_DD = 10 V
  2.5 en V_DD = 15 V
• Cumple con todos los requisitos del estándar tentativo JEDEC N.º 13B, "Especificaciones estándares para la descripción de dispositivos CMOS serie B"

CD4013B

Biestable tipo D dual CMOS

Haga clic aquí para obtener más información.

• Capacidad de set/reset
• Operación de biestable estática: retiene el estado de manera indefinida con el nivel del reloj en "alto" o en "bajo"
• Operación de velocidad media: 16MHz (típ.) con tasa de conmutación de reloj a 10 V
• Características de salidas simétricas estandarizadas
• Controlado al 100% con corriente de reposo a 20 V
• Corriente de entrada máxima de 1 µA a 18 V con rango de temperatura del paquete saturado; 100 nA a 18 V y 25 °C
• Margen de ruido (rango de temperatura de paquete saturado) =
  
  • 1 V en V_DD = 5 V
  • 2 V en V_DD = 10 V
  • 2.5 V en V_DD = 15 V
• Clasificación paramétrica de 5 V, 10 V y 15 V
• Cumple con todos los requisitos del estándar tentativo JEDEC N.º 13B, "Especificaciones estándares para la descripción de dispositivos CMOS serie B"
• Aplicaciones:
  • Registradores, contadores, circuitos de control

CD4017B

Contador de década CMOS con 10 salidas decodificadas

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• Operación completamente estática
• Operación de velocidad media: 10 MHz (típ.) en V_DD = 10 V
• Características de salidas simétricas estandarizadas
• Controlado al 100% con corriente de reposo a 20 V
• Clasificación paramétrica de 5 V, 10 V y 15 V
• Cumple con todos los requisitos del estándar tentativo JEDEC N.º 13B, "Especificaciones estándares para la descripción de dispositivos CMOS serie B"
• Aplicaciones:
  • Pantalla de decodificado decimal y contador de décadas
  • Decodificador y contador binario
  • División de frecuencia
  • Temporizadores y control de contador
  • Conteo dividir por N
  • Para obtener más información sobre la aplicación, vea ICAN-6166 "Contador y registro de diseño y aplicaciones para MSI COS/MOS"

CD4049UB

Convertidor y búfer de inversión hexagonal CMOS

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• Inversión de CD4049UB
• No inversión de CD4050B
• Corriente de disipador alta para controlar 2 cargas TTL
• Conversión lógica de nivel alto a bajo
• Controlado al 100% con corriente de reposo a 20 V
• Corriente de entrada máxima de 1 µA a 18 V con rango de temperatura del paquete saturado; 100 nA a 18 V y 25 °C
• Clasificación paramétrica de 5 V, 10 V y 15 V
• Aplicaciones
  • Convertidor hexagonal CMOS a DTL/TTL
  • Controlador de "target" o "disipador" de corriente CMOS
  • Convertidor de nivel lógico alto a bajo CMOS

CD4051B

Multiplexor analógico y demultiplexor simple de 8 canales CMOS con conversión de nivel lógico

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• Amplio rango de niveles de señal analógica y digital
  • Digital: 3 V a 20 V
  • Analógica: ≤20 V_P-P
• Baja resistencia ON, 125 Ω (típ.) sobre 15 V_P-P de rango de entrada de señal para V_DD–V_EE = 18 V
• Alta resistencia OFF, fuga de canal de ±100 pA (típ.) en V_DD–V_EE = 18 V
• Conversión de nivel lógico para señales de dirección digital de 3 V a 20 V (V_DD–V_SS = 3 V a 20 V) a señales analógicas de interruptor a 20 V_P-P (V_DD–V_EE = 20 V)
• Características de interruptor acoplado, r_ON = 5 Ω (típ.) para V_DD–V_EE = 15 V
• Disipación de potencia de reposo muy baja bajo toda entrada de control digital y condiciones de alimentación, 0.2 µW (típ.) en V_DD–V_SS = V_DD–V_EE = 10 V
• Decodificación de direcciones binarias en chip
• Clasificación paramétrica de 5 V, 10 V y 15 V
• Controlado al 10% con corriente de reposo a 20 V
• Corriente de entrada máxima de 1 µA a 18 V con rango de temperatura del paquete saturado; 100 nA a 18 V y 25 °C
• La interrupción previa a la conexión elimina la superposición de canales
• Aplicaciones
  • Multiplexación y demultiplexación digitales y analógicas
  • Conversión A/D y D/A
  • Activación de señal

CD4060B

Contador/divisor binario Ripple-Carry de 14 etapas y oscilador

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• Tasa de reloj de 12 MHz a 15 V
• Reinicio común
• Operación completamente estática
• Entradas y salidas con búfer
• Línea de impulso de entrada de disparador Schmitt
• Controlado al 100% con corriente de reposo a 20 V
• Características de salidas simétricas estandarizadas
• Clasificación paramétrica de 5 V, 10 V y 15 V
• Cumple con todos los requisitos del estándar tentativo JEDEC N.º 13B, "Especificaciones estándares para la descripción de dispositivos CMOS serie B"
• Características del oscilador:
  • Todos los componentes activos en chip
  • Configuración del oscilador a cristal o RC
  • Frecuencia del oscilador RC de 690 kHz mín. a 15 V
• Aplicaciones
  • Contadores de control
  • Temporizadores
  • Divisores de frecuencia
  • Circuitos de retardo temporal

CD4066B

Interruptor bilateral cuád. CMOS

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• conmutación digital de 15 V o de pico a pico de ±7.5 V
• Resistencia en estado encendido típica de 125 Ω para operaciones de 15 V
• Resistencia en estado encendido del interruptor acoplado a 5 Ω por dentro sobre un rango de entrada de señal de 15 V
• Resistencia plana en estado encendido sobre rango de señal de pico a pico completa
• Proporción de voltaje de salida de encendido/apagado alto: 80 dB típico con f_is = 10 kHz, R_L = 1 kΩ
• Alto grado de linealidad: <0.5% de distorsión típica con f_is = 1 kHz, V_is = 5 V p-p, V_DD–V_SS Ω
• Fugas de interruptores en estado apagado extremadamente bajas, lo cual da como resultado una corriente de compensación muy baja y una alta resistencia en estado encendido efectiva: 10 pA típico con V_DD–V_SS = 10 V, T_A = 25 °C
• Impedancia de entrada de control extremadamente alta (circuito de control aislado del circuito de señal): 10¹² Ω típico
• Baja diafonía entre interruptores: –50 dB típico con f_is = 8 MHz, R_L = 1 kΩ
• Capacitancia acoplada de entrada de control a salida de señal: reduce los transitorios de señal de salida
• Respuesta de frecuencia, interruptor encendido = 40 MHz (típico)
• Controlado al 100% con corriente de reposo a 20 V
• Clasificación paramétrica de 5 V, 10 V y 15 V
• Cumple con todos los requisitos del estándar tentativo JEDEC N.º 13B, Especificaciones estándares para la descripción de dispositivos CMOS serie B
• Aplicaciones:
  • Multiplexación y conmutación de señal analógica:
    activación de señal, modulador, control de silenciado, demodulador, troceador, interruptor de conmutación.
  • Multiplexación y conmutación de señal digital
  • Implementación lógica de compuerta de transmisión
  • Conversión analógica a digital y digital a analógica
  • Control digital de frecuencia, impedancia, fase y ganancia de señal analógica

CD4093B

Disparadores Schmitt NAND de doble entrada cuád. CMOS

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• Acción de disparador Schmitt en cada entrada sin componentes externos
• Voltaje de histéresis típico de 0.9 V en V_DD = 5 V y 2.3 V en V_DD = 10 V
• Inmunidad de ruido mayor que el 50%
• Sin límite en los tiempos de ascenso y descenso de la entrada
• Características de salidas simétricas estandarizadas
• Controlado al 100% con corriente de reposo a 20 V
• Corriente de entrada máxima de 1 µA a 18 V con rango de temperatura del paquete saturado; 100 nA a 18 V y 25 °C
• Clasificación paramétrica de 5 V, 10 V y 15 V
• Cumple con todos los requisitos del estándar tentativo JEDEC N.º 13B, "Especificaciones estándares para la descripción de dispositivos CMOS serie B"
• Aplicaciones:
  • Conformadores de impulso y onda
  • Sistemas de ambientes con ruidos altos
  • Multivibradores monoestables
  • Multivibradores estables
  • Lógica NAND

CD74HC154

Decodificador/Demultiplexor de 14 a 16 líneas con lógica CMONS de alta velocidad

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• Dos entradas de activación para facilitar la demultiplexación y las funciones de cascada
• Conductor de salida (Sobre rango de temperatura)
  • Salidas estándar: . . . . . 10 cargas LSTTL
  • Salidas de controlador de bus . . 15 cargas LSTTL
• Amplio rango de temperatura de funcionamiento. . . De –55 ºC a 125 ºC
• Retardo de propagación y tiempos de transición balanceados
• Reducción significativa de energía comparado con los IC lógicos LSTTL
• Tipos de HC
  • Operación de 2 V a 6 V
  • inmunidad al ruido alto: N_IL= 30%, N_IH = 30% de V_CC con V_CC = 5 V
• Tipos de HCT
  • Operación de 4.5V a 5.5V
  • Compatibilidad lógica de entrada LSTTL directa, V_IL = 0.8 V (máx.), V_IH = 2 V (mín.)
  • Compatibilidad de entrada CMOS, I_l 1 µA con V_OL, V_OH

SN7400

Compuertas cuádruples de 2 entradas positivas NAND

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• Las opciones de paquete incluyen esquema pequeño plástico (D, NS, PS), esquema pequeño reducido (DB), paquetes planos de cerámica (W), portadores de chip de cerámica (FK), y DIP plásticos estándar (N) y de cerámica (J).
• También disponible como compuerta positiva NAND de dos entradas dual en paquete de esquema pequeño (PS)

SN7404

Inversores hexagonales

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• Calidad y confiabilidad seguras de Texas Instruments

SN74HC14

Inversores de disparador Schmitt hexagonales

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• Amplio rango de voltaje de funcionamiento de 2 V a 6 V
• Las salidas pueden controlar hasta 10 cargas LSTTL
• Bajo consumo de energía, 20 µA máx. I_CC
• t_pd típico = 11 ns
• Controlador de salida de ±4-mA a 5 V
• Corriente de entrada baja de 1 µA máx.

SN74LS00

Compuertas cuádruples de 2 entradas positivas NAND

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• Las opciones de paquete incluyen esquema pequeño plástico (D, NS, PS), esquema pequeño reducido (DB), paquetes planos de cerámica (W), portadores de chip de cerámica (FK), y DIP plásticos estándar (N) y de cerámica (J).
• También disponible como compuerta positiva NAND de dos entradas dual en paquete de esquema pequeño (PS)

SN74LS04

Inversores hexagonales

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• Calidad y confiabilidad seguras de Texas Instruments

SN74LS08

Compuertas cuádruples de dos entradas positivas AND

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• Las opciones de paquete incluyen los paquetes plásticos de "esquema pequeño", los paquetes planos y de portadores de chip de cerámica y los DIP plásticos y de cerámica.
• Calidad y confiabilidad seguras de Texas Instruments

SN74CB3Q16211

Interruptor bus de ancho de banda alto de bajo voltaje de 2.5 V/3.3 V con FET de 24 bits

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• Miembro de la línea Widebus™ de Texas Instruments
• Ruta de datos de alto ancho de banda (Hasta 500 MHz)
• E/S tolerantes a 5 V con dispositivo encendido o apagado
• Características de resistencia en estado encendido baja y plana (r_on) sobre rango de operación (r_on = 5 Ω típico)
• Conmutación riel a riel en puertos de E/S de datos
  • Conmutación de 0 V a 5 V con 3.3 V V_CC
  • Conmutación de 0 V a 3.3 V con 2.5 V V_CC
• Flujos de datos bidireccionales con retardo de propagación casi nulo
• La capacitancia de entrada/salida baja minimiza la distorsión de señal y de carga (C_io(OFF) = 4 pF típico)
• Frecuencia de conmutación rápida (f_OE\ = 20 MHz máx.)
• Las entradas de control y de datos brindan diodos de sujeción de subimpulso
• Bajo consumo de energía (I_CC = 1 mA típico)
• Rango de operación V_CC: 2.3 V a 3.6 V
• Las E/S de datos admiten niveles de señal de 0 V a 5 V (0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
• Las entradas de control pueden ser controladas por TTL o por salidas CMOS de 5 V/3.3 V
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

SN74LVC138A

Decodificador y demultiplexor de 3 líneas a 8 líneas

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• Opera desde 1.65 V a 3.6 V
• Las entradas aceptan voltajes hasta 5.5 V
• t_pd máx. de 5.8 ns a 3.3 V
• V_OLP típico (Rebote en tierra de salida)
  <0.8 V a V_CC = 3.3 V, T_A = 25 °C
• V_OHV típico (subimpulso V_OH de salida)
  >2 V a V_CC = 3.3 V, T_A = 25 °C
• El rendimiento de Latch-up supera los 250 mA por JESD 17, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

Standard Linear (Lineal estándar)

Los productos de TI ideados para el mercado analógico son productos destinados a varios mercados y de uso general, como los circuitos de acondicionamiento de señales, la administración de alimentación, los productos de interfaz y los convertidores de datos. TI ha desarrollado la mayor selección del sector de piezas analógicas de baja potencia y bajo voltaje con funciones diseñadas para satisfacer una amplia variedad de aplicaciones. <0/>

• Paquete pequeño
• Alto rendimiento
• Capacidad amplia
• Soporte de aplicación

LMV339

Comparadores cuád. de bajo voltaje y de uso general

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• Rendimiento de 2.7 V a 5 V
• Corriente de alimentación baja
  • LMV331 . . . 130 µA típ.
  • LMV393 . . . 210 µA típ.
  • LMV339 . . . 410 µA típ.
• El rango de voltaje de modo común de entrada incluye puesta a tierra
• Voltaje de salutación de salida bajo de 200 mV típico
• Salida de colector abierto para flexibilidad máxima

LMV393

Comparador doble de bajo voltaje y de uso general

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• Rendimiento de 2.7 V a 5 V
• Corriente de alimentación baja
  • LMV331 . . . 130 µA típ.
  • LMV393 . . . 210 µA típ.
  • LMV339 . . . 410 µA típ.
• El rango de voltaje de modo común de entrada incluye puesta a tierra
• Voltaje de salutación de salida bajo de 200 mV típico
• Salida de colector abierto para flexibilidad máxima

LMV331

Comparador simple de bajo voltaje y de uso general

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• Rendimiento de 2.7 V a 5 V
• Corriente de alimentación baja
  • LMV331 . . . 130 µA típ.
  • LMV393 . . . 210 µA típ.
  • LMV339 . . . 410 µA típ.
• El rango de voltaje de modo común de entrada incluye puesta a tierra
• Voltaje de salutación de salida bajo de 200 mV típico
• Salida de colector abierto para flexibilidad máxima

LM311

Comparador diferencial con estrobos

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• Tiempos de respuesta rápidos
• Capacidad estroboscópica
• Corriente de derivación de entrada alta . . . 300 nA
• Corriente de desviación de entrada máxima . . 70 nA
• Puede operar desde alimentación única de 5 V
• Disponible en automotriz Q-Temp
  • Aplicaciones automotrices de alta confiabilidad
  • Soporte de impresión y control de configuración
  • Certificación en estándares automotrices

LM358

Amplificadores operacionales dobles

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• Amplio rango de suministro:
  • Alimentación simple . . . 3 V a 32 V
    (26 V para LM2904)
  • o fuentes duales . . . ±1.5 V a ±n;16 V
    (±13 V para LM2904)
• consumo de corriente de suministro baja independiente del voltaje de suministro . . . 0.7 mA típ.
• El rango de voltaje de modo común de entrada incluye tierra, lo que permite detección directa cerca de tierra.
• Parámetros de desviación y de polarización de entrada bajos:
  • Voltaje de desviación de entrada: 3 mV típ.
    Versiones A: 2 mV típ.
  • Corriente de desviación de entrada: 2 nA típ.
  • Corriente de polarización de entrada. . . 20 nA típ.
    versiones A . . . 15 nA típ.
• Rango de voltaje de entrada diferencial igual al voltaje de alimentación de rango máximo . . . ±32 V
  (26 V para LM2904)
• Amplificación de voltaje diferencial de bucle abierto . . . 100 V/mV típ.
• Compensación de frecuencia interna

LM4040A25

Referencia de voltaje de derivación con micropotencia de precisión de 2,5 V, precisión de 0.1 %

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• Voltajes de salida fijos de 2.048 V, 2.5 V, 3 V, 4.096 V, 5 V, 8.192 V y 10 V
• Tolerancias de salida restringida y coeficiente de temperatura bajo
  • Máx 0.1%, 100 ppm/°C - Grado A
  • Máx 0.2%, 100 ppm/°C - Grado B
  • Máx 0.5%, 100 ppm/°C - Grado C
  • Máx 1.0%, 150 ppm/°C - Grado D
• Bajo ruido de salida . 0.35 µV_RMS típ.
• Amplio rango de corriente de funcionamiento . . 0.45 µA Típ a 15 mA
• Estable con todas las cargas capacitivas. No se necesita un capacitor de salida
• Disponible con rangos de temperatura extendidos . .-40 °C a 125 °C
• APLICACIONES
  • Sistemas de adquisición de datos
  • Fuentes de alimentación y monitores de fuente de alimentación
  • Instrumentación y equipos de prueba
  • Controles de procesos
  • Audio de precisión
  • Electrónica para automóviles
  • Administración de energía
  • Equipos con alimentación a batería

LT1013

Amplificador operacional de precisión doble

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• Operación de alimentación única
  - El rango de voltaje de entrada se extiende a tierra
  - La salida oscila a tierra mientras la corriente se disipa.
• Voltaje de compensación de entrada
  - 150 µV máx. a 25 °C para LT1013A
• Coeficiente de temperatura de voltaje de compensación
  - 2.5 µV/ °C máx. para LT1013A
• Corriente de desviación de entrada
  - 0.8 nA máx. a 25 °C para LT1013A
• Alto nivel de ganancia . . . 1.5 V/µV mín. (RL = 2 kΩ), 0.8 V/µV mín. (RL = 600 kΩ) para LT1013A
• Corriente de alimentación baja . . . 0.5 mA máx. a TA = 25 °C para LT1013A
• Voltaje de ruido de pico a pico bajo . . . 0.55 µV típ.
• Ruido de corriente bajo . . . 0.07 pA/√Hz típ.

NE5532

Amplificación operacional de audio de alta velocidad con ruido bajo dual

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• Voltaje de ruido de entrada equivalente:
  5 nV/√Hz típ. a 1 kHz
• Ancho de banda de ganancia de unidad: 10 MHz típ.
• Tasa de rechazo al modo común: 100 dB típ.
• Ganancia de voltaje DC alta: 100 V/mV típ.
• Oscilación de voltaje de salida de pico a pico 26 V típ.
  con V_CC± = ±15 V y R_L = 600 Ω
• Velocidad de respuesta alta: 9 V/µs típ.

RC4558

Amplificador operacional doble de propósito general

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• Protección continua contra cortocircuitos
• Rangos de voltaje de modo común y diferencial amplios
• No se necesita compensación de frecuencia
• Bajo consumo eléctrico
• Sin Latch-Up
• Ancho de banda de ganancia de unidad . . . 3 MHz típ.
• Acople de ganancia y de fase entre amplificadores
• Ruido bajo . . . 8 nV/√Hz típ. a 1 kHz

TL431

Regulador de derivación de precisión ajustable

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• Operación desde -40 °C hasta 125 °C
• Tolerancia de voltaje de referencia a 25 °C
  • 0.5% . . . Grado B
  • 1%. . . Grado A
  • 2% . . . Grado estándar
• Deriva de la temperatura típica (TL431B)
  • 6 mV (Temp. C)
  • 14 mV (Temp I, Temp Q)
• Ruido de salida bajo
• Impedancia de salida típica de 0.2 Ω
• Capacidad de corriente de disipador . . . 1 mA a 100 mA
• Voltaje de salida ajustable . . . Vref a 36 V

TL072

Amplificador operacional dual de propósito general con entrada JFET y sonido bajo

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• Bajo consumo eléctrico
• Rangos de voltaje de modo común y diferencial amplios
• Bajas corrientes de desviación y de polarización de entrada
• Protección contra cortocircuito de salida
• Distorsión armónica total baja: 0.003% típ.
• Ruido bajo
  V_n = 18 nV/√Hz Típ a f = 1 kHz
• Impedancia de entrada alta . . . Etapa de entrada JFET
• Compensación de frecuencia interna
• Operación libre de Latch-Up
• Alta velocidad de respuesta . . . 13 V/µs típ.
• El rango de voltaje de modo común de entrada incluye V_CC+

TL074

Amplificador operacional cuád. de propósito general con entrada JFET y sonido bajo

Haga clic aquí para obtener más información.

• Bajo consumo eléctrico
• Rangos de voltaje de modo común y diferencial amplios
• Bajas corrientes de desviación y de polarización de entrada
• Protección contra cortocircuito de salida
• Distorsión armónica total baja: 0.003% típ.
• Ruido bajo
  V_n = 18 nV/√Hz Típ a f = 1 kHz
• Impedancia de entrada alta . . . Etapa de entrada JFET
• Compensación de frecuencia interna
• Operación libre de Latch-Up
• Alta velocidad de respuesta . . . 13 V/µs típ.
• El rango de voltaje de modo común de entrada incluye V_CC+

TL084

Amplificador operacional con entrada JFET

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• Bajo consumo eléctrico
• Rangos de voltaje de modo común y diferencial amplios
• Bajas corrientes de desviación y de polarización de entrada
• Protección contra cortocircuito de salida
• Distorsión armónica total de 0.003% típ
• Impedancia de entrada alta - etapa de entrada JFET
• Operación libre de Latch-Up
• Velocidad de respuesta alta: 13 V/µs típ.
• El rango de voltaje de modo común de entrada incluye V_CC+

UA741

Amplificador operacional de propósito general

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• Protección contra cortocircuito
• Capacidad nula de voltaje de compensación
• Rangos de voltaje de modo común y diferencial amplios
• No se necesita compensación de frecuencia
• Bajo consumo eléctrico
• Sin Latch-Up
• Diseñado para ser intercambiable con Fairchild uA741

L293D

Controladores Half-H cuádruples

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• Inclusión de productos Unitrode L293 y L293D ahora en Texas Instruments
• Amplio rango de voltaje de alimentación: 4.5 V a 36 V
• Alimentación lógica de entrada independiente
• Protección contra descarga electrostática interna
• Apagado térmico
• Entradas con inmunidad a ruidos altos
• Reemplazos funcionales para SGS L293 y SGS L293D
• Corriente de salida 1 A por canal (600 mA para L293D)
• Corriente de salida de pico 2 A por canal (1.2 A para L293D)
• Diodos de sujeción de salida para supresión de transitorios inductivos (L293D)

LMV321

Amplificador operacional único de salida riel a riel de bajo voltaje

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• Rendimiento de 2.7 V a 5 V
• Operación de -40 °C a 125 °C
• Modo de apagado de baja energía (LMV324S)
• Sin distorsión de cruce
• Corriente de alimentación baja
  • LMV321 . . . 130 µA típ.
  • LMV358 . . . 210 µA típ.
  • LMV324 . . . 410 µA típ.
  • LMV324S . . . 410 µA típ.
• Oscilación de salida riel a riel
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (c101)

MAX232

Receptor/controlador dual EIA-232

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• Cumple o excede el TIA/EIA-232-F e ITU recomendado V.28
• Opera desde una fuente de alimentación única de 5 V con capacitores de bomba de carga de 1.0 µF
• Opera hasta 120 kbit/s
• Dos controladores y dos receptores
• Niveles de entrada de ±30 V
• Corriente de alimentación baja: 8 mA típico
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
• Actualizado con ESD mejorado (HBM de 15 kV) y capacitores de bomba de carga de 0.1 µF disponible con el MAX202
• Aplicaciones
  • TIA7EIA-232-F, sistemas alimentados con baterías, terminales, módems y computadoras

OP07C

Amplificador operacional de voltaje de compensación bajo

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• Ruido bajo
• No requiere componentes externos
• Reemplace los amplificadores troceadores por un bajo costo
• Amplio rango de voltaje de entrada
  . . . 0 a ±14 V típ.
• Amplio rango de voltaje de alimentación
  . . . ±3 V a ±18 V

ESD/EMI

La protección contra descarga electrostática (ESD) a nivel de sistema es muy importante en el mundo actual, ya que los dispositivos se han vuelto portátiles, contienen conectores de interfaz múltiples, tienen pantallas táctiles y se exponen continuamente al mundo exterior. Solo se necesita un golpe de ESD para dañar un producto de forma permanente. Esto hace que la protección contra descarga electrostática sea un componente crítico en el diseño del sistema. La interferencia electromagnética (EMI) es otro desafío que se enfrenta durante el diseño del sistema. La EMI es un ruido de radiofrecuencia (RF) (800 MHz a 2 GHz) que afecta el circuito eléctrico debido a la conducción electromagnética desde una fuente externa. Texas Instruments produce dispositivos de ESD y EMI con soluciones que protegen la mayoría de las conexiones externas al mundo exterior.

TPD4E001

Matriz de protección contra descarga electrostática de +/-15 kV con cuatro canales y baja capacitancia

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• Matriz de sujeción ESD de cuatro canales para mejorar la protección contra descarga electrostática a nivel de sistema
• Excede los requerimientos de protección contra descarga electrostática IEC61000-4-2 (nivel 4)
• Descarga de contacto IEC 61000-4-2 de ±8 kV
• Descarga de entrehierro IEC 61000-4-2 de ±15 kV
• Modelo de cuerpo humano (HBM) de ±15 kV
• Corriente de impulso de pico de 5.5 A (impulso de 8/20 µs)
• Baja capacitancia de entrada de 1.5 pF

TPD4S014

Una solución de chip único completa para la protección del puerto de carga USB

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• Protección del voltaje de entrada en el VBUS de hasta 28 V
• Interruptor nFET de bajo Ron
• Suporta >2 A de corriente de carga
• Componentes de bloque contra subvoltaje y sobrevoltaje

TPD4E001

Matriz de protección contra descarga electrostática de 4 canales +/-15 kV con capacitancia baja para interfaces de datos de alta velocidad

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• Matriz de sujeción ESD de cuatro canales para mejorar la protección contra descarga electrostática a nivel de sistema
• Excede los requerimientos de protección contra descarga electrostática IEC61000-4-2 (nivel 4)
  • Descarga de contacto IEC 61000-4-2 de ±8 kV
  • Descarga de entrehierro IEC 61000-4-2 de ±15 kV
• Modelo de cuerpo humano (HBM) de ±15 kV
• Corriente de impulso de pico de 5.5 A (impulso de 8/20 µs)
• Baja capacitancia de entrada de 1.5 pF
• Baja corriente de fuga de 1 nA (máx.)
• Rango de voltaje de alimentación de 0.9 V a 5.5 V
• Opciones de paquete de ahorro de espacio DRL, DBV, DCK y DRS
• Opciones de 2, 3 y 6 canales alternativos: TPD2E001, TPD3E001 y TPD6E001

TPD8E003

Matriz para ESD de ocho canales para aplicaciones portátiles que permiten ahorrar espacio

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• Matriz de sujeción ESD de 8 canales para mejorar la protección contra descarga electrostática a nivel de sistema
• Excede los requerimientos de protección contra descarga electrostática IEC61000-4-2 (nivel 4)
  • Descarga de contacto IEC 61000-4-2 de ±12 kV
  • Descarga de entrehierro IEC 61000-4-2 de ±15 kV
• Corriente de impulso de pico de 3.5 A (impulso de 8/20 µs)
• Modelo de cuerpo humano (HBM) de ±15 kV
• Voltaje de ruptura bajo de 6 V
• Corriente mínima máxima
• Paquete sin terminal de esquema pequeño, ultra delgado de ahorro de espacio [WSON (DQD)] (Paso de 0.4 mm)
• APLICACIONES
  • Teclado
  • Interfaz de pantalla táctil
  • Interfaz de memoria
  • Interfaz de conector de estación

TPD7S019

Soluciones integradas para ESD de siete canales para puerto VGA con cambiador de nivel integrado

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• La protección contra descarga electrostática de 7 canales incluye protección contra descarga electrostática, desfase de nivel, búfer y acople de impedancia sincronizada.
• Excede los requerimientos de protección contra descarga electrostática IEC61000-4-2 (nivel 4) en los pines externos
  • Modelo de cuerpo humano (HBM) de ±15 kV
  • Descarga de contacto IEC 61000-4-2 de ±8 kV
• Capacitancia de carga muy baja desde los diodos de protección contra descarga electrostática en las líneas de VIDEO (2.5 pF)
• Controladores de 5 V para líneas HSYNC y VSYNC
• Resistores de acople de impedancia integrados en las líneas de sincronización:
  • TPD7S019-65: terminación de 65 Ω
  • TPD7S019-15: terminación de 15 Ω
  • TPD7S019-55: terminación de 55 Ω
• FET de canal N para desfase de nivel bidireccionales provistos para los canales DDC_CLK y DDC_DATA
• El mapeo de pines únicos en línea de flujo asegura que no se necesita una carga adicional de
  disposición de placa al colocar el chip de protección contra descarga electrostática cerca del conector.
• APLICACIONES
  • Puertos VGA y DVI-I en:
    • Computadoras portátiles y de escritorio
    • Tarjetas gráficas
    • Decodificadores de TV
    • TV

TPD2S017

Solución de descarga electrostática con voltaje de ajuste ultra bajo y dos canales con aislamiento de resistor de serie

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• El voltaje de ajuste ultra bajo asegura la protección del
  conjunto de chips núcleo de voltaje ultra bajo durante los episodios de descarga electrostática
• Excede la protección contra descarga electrostática para IEC61000-4-2 (Nivel 4)
• Acople de resistor de serie (R =1 Ω) de ±8 mΩ (típico)
• Acople de la capacitancia de entrada de canal diferencial de 0.02 pF (típico)
• Tasa de datos de alta velocidad y acción de filtros EMI en altas frecuencias
  (-3 dB de ancho de banda, &asymp;3 GHz)
• Disponible en el paquete de transistor de esquema pequeño con 6 pines [SOT (DBV)]
• El mapeo de pines únicos en línea de flujo para las
  líneas de alta velocidad asegura que no se necesita una carga adicional de disposición de placa al colocar
  el chip de protección contra descarga electrostática cerca del conector.
• APLICACIONES
  • USD de alta velocidad
  • Interfaz IEEE 1394
  • Señal diferencial de bajo voltaje (LVDS)
  • Interfaz digital de pantalla móvil (MDDI)/Interfaz de procesador de
    industrias móviles (MIPI)
  • Señal de HS

TPD12S015A

Chip de expansión HDMI con DC-DC elevador, desfasador de nivel I2C y sujeción de ESD de alta velocidad para aplicaciones portátiles

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• Cumple con las pruebas de compatibilidad con HDMI sin ningún otro componente externo.
• Admite una velocidad de datos de 1.4 HDMI.
• Es compatible con la asignación de clavijas clase D y clase C.
• Excelente capacitancia de acople (0.05 pF) en cada par de señal diferencial
• Convertidor elevador interno para generar 5 V desde un voltaje de batería de 2.3-5.5 V
• Desfase de nivel de detección de autodirección en las rutas CEC, SDA y SCL
• compatibilidad con ESD a nivel de sistema IEC 61000-4-2 (nivel 4)
• Pieza de reemplazo directo mejorada para el TPD12S015 de la industria.
• Rango de temperatura industrial: -40 ºC a +85 °C

TPD1E10B09

Protección contra descarga electrostática de canal único en el paquete 0402 con capacitancia de 10 pF y ruptura de 9 V

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• Proporciona una protección contra descarga electrostática a nivel del sistema para interfaz ES de baja tensión.
• IEC 61000-4-2 nivel 4
  • ±20kV (descarga de espacio de aire)
  • ±20kV (descarga de contacto)
• IEC 61000-4-5 (inducido): 4.5 A (8/20 µs)
• Capacitancia ES 10 pF (típ.)
• R_DYN de 0.5 Ω (típ)
• Tensión de ruptura de CC de 9.5V (mín.)
• Corriente de fuga ultra baja de 100 nA (típ.)
• Voltaje de sujeción de 13 V (máx. en I_PP = 1 A)
• Rango de temperatura industrial: -40 ºC a 125°C
• Espacio 0402 de ahorro de espacio (1 mm x 0.6 mm x 0.5 mm)

TPD1E10B06

ESD de canal único en el paquete 0402 con capacitancia de 10 pF y ruptura de 6V

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• Proporciona una protección contra descarga electrostática a nivel del sistema para interfaz ES de baja tensión.
• IEC 61000-4-2 nivel 4
  • ±30 kV (descarga de espacio de aire)
  • ±30 kV (descarga de contacto)
• IEC 61000-4-5 (inducido): 6A (8/20 µs)
• Capacitancia ES 12 pF (típ.)
• R_DYN de 0.4 Ω (típ.)
• Tensión de ruptura de CC de 6V (mín.)
• Corriente de fuga ultra baja de 100 nA (máx.)
• Voltaje de sujeción de 10V (máx. en I_PP = 1 A)
• Rango de temperatura industrial: -40 ºC a 125°C
• Espacio 0402 de ahorro de espacio (1 mm x 0.6 mm x 0.5 mm)

Interruptores analógicos

El ambiente competitivo actual crea una necesidad constante de mayor rendimiento. Un método común para optimizar el rendimiento del sistema involucra la utilización de interruptores FET o interruptores de señal para brindar una interfaz de bus bidireccional de alta velocidad entre los DSP, los CPU, los buses estándar de la industria, la memoria y los periféricos. La cartera de productos de interruptores de señal de Texas Instruments consiste en interruptores digitales, interruptores analógicos e interruptores de especialidad que brindan reemplazos de baja energía y alto rendimiento para los dispositivos de interfaz de bus estándar cuando la separación de señal no se necesita.

Interruptores analógicos

TS3DDR3812

Interruptor de 12 canales 1:2 MUX/DEMUX para aplicaciones de alta velocidad

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• Amplio ancho de banda de 1.675 GHz
• Retardo de propagación lento ((t_pd = 40 ps típ.)
• Baja oblicuidad bit a bit (t_sk(o) = 6 ps máx.)
• Rango de operación V_CC: 3 V a 3.6 V

TS5USBA224

Interruptores USB 2.0 de alta velocidad (480 Mbps) y de audio con capacidades de señal negativa

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• Interruptor USB de alta velocidad de 4 Ω
  • R_DSON típico
  • C_ON típico 12.5 pF
  • Ancho de banda de 650 MHz (-3 dB)
• Interruptor de audio:
  • R_DSON típico 3 Ω
  • Capacidad de riel negativa
  • THD bajo: <0.05%
  • Resistencias de derivación internas para reducción de clic y pops
  • Alimentado desde V_AUDIO (2.7 V a 5.5 V)
• Umbral de entrada de control compatible de 1.8 V (A_SEL y V_BUS)
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22

TS5A22362

Interruptor analógico SPDT dual de 0.65 Ohm con capacidad de riel negativa

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• Interruptor específico para interrupción previa a la conexión
• Capacidad de señal negativa: oscilación máxima
  desde -2.75 V hasta 2.75 V (V₊ = 2.75 V)
• El interruptor de derivación interno previene los clics y pops que se escuchan
  cuando se conmuta entre dos fuentes (TS5A22364)
• Resistencia en estado encendido baja: 0.65 Ω típica
• Baja inyección de canal
• Excelente acople de resistencia en estado encendido
• Fuente de alimentación de 2.3 V a 5.5 V (V₊)
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano 2500-V (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado 1500-V (c101)
  • Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
• APLICACIONES
  • Teléfonos celulares
  • PDA
  • Instrumentación portátil.
  • Encaminamiento de audio
  • Generación de imágenes de uso médico

TS3USB221

interruptor multiplexor y demultiplexor 1:2 con USB 2.0 de alta velocidad (480 Mbps) con activación única.

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• Operación V_CC a 2.5 V y 3.3 V
• V_E/S Acepta señales de hasta 5.5 V
• Entradas de pin de control compatibles de 1.8 V
• Modo de baja energía cuando OE está deshabilitado (1 µA)
• r_ON = 6 Ω máximo
• r_ON = 0.2 Ω típico
• C_io(on) = 6 pF máximo
• Bajo consumo de energía (30 µA máximo)
• ESD > Modelo de cuerpo humano de 2000 V (HBM)
• Alto ancho de banda de potencia (1.1 GHz típico)
• APLICACIONES
  • Señales de caminos para USB 1.0, 1.1 y 2.0
  • Encaminamiento de señal para la interfaz de procesador de industrias móviles (MIPI)

TS3USB30

interruptor multiplexor y demultiplexor 1:2 con USB 2.0 de alta velocidad (480 Mbps) con activación única.

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• Operación V_CC a 3 V y 4.3 V
• Entradas de pin de control compatibles de 1.8 V
• I_OFF admite la operación en modo pérdida de potencia parcial
• r_ON = 10 Ω máx.
• r_ON <0.35 Ω típico
• C_io(on) = 7 pF máximo
• Bajo consumo de energía (1 µA máximo)
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano 6000-V (HBM)
    (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado 1000-V (c101)
  • Modelo de máquina 250-V (A115-A)
• Ancho de banda de -3 dB: 955 MHz típ.
• Paquetes de TQFN de 10 pines (1.4 mm x 1.8 mm)
• APLICACIONES
  • Señales de caminos para USB 1.0, 1.1 y 2.0
  • Encaminamiento de señal para la interfaz de procesador de industrias móviles (MIPI)

TS5A23159

Multiplexor y demultiplexor 2:1 de dos canales de 5 V/3.3 V con Interruptor analógico SPTD dual

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• Aislamiento en modo de apagado, V₊ = 0
• Interruptor específico para interrupción previa a la conexión
• Resistencia en estado encendido baja (1 Ω)
• Las entradas de control toleran 5.5 V
• Baja inyección de canal
• Excelente acople de resistencia en estado encendido
• Baja distorsión armónica total (THD)
• Operación de alimentación única de 1.65 V a 5.5 V
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V
    (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado 1000-V (c101)
• Aplicaciones
  • Teléfonos celulares
  • PDA
  • Instrumentación portátil.
  • Encaminamiento de señal de audio y video
  • Sistemas de adquisición de datos de bajo voltaje
  • Circuitos de comunicación
  • Módems

TS5USBA224

Interruptores USB 2.0 de alta velocidad (480 Mbps) y de audio con capacidades de señal negativa

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• Interruptor USB de alta velocidad:
  • R_DSON típico 4 Ω
  • C_ON típico 12.5 pF
  • Ancho de banda de 650 MHz (-3 dB)
• Interruptor de audio:
  • R_DSON típico 3 Ω
  • Capacidad de riel negativa
  • THD bajo: <0.05%
  • Resistencias de derivación internas para reducción de clic y pops
  • Alimentado desde V_AUDIO (2.7 V a 5.5 V)
• Umbral de entrada de control compatible de 1.8 V (A_SEL y V_BUS)
• I_OFF admite la operación en modo pérdida de potencia parcial
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V
    (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000-V (c101)
  • Modelo de máquina de 200-V (A115-A)
• APLICACIONES
  • Teléfonos celulares
  • Agendas digitales personales (PDA)
  • Instrumentación portátil.

TSU6111

Interruptor Micro-USB dual sp2T con impedancia integrada y detección de cargador

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• SP2T dual
  • USB 2.0 de Suporte de ruta USB y UART de alta velocidad
• Detección inteligente
  • Detección de conexión y desconexión
  • Detección de cargador USB
  • Detección de impedancia
  • La detección es compatible con el CEA-936A
    (Protocolo de 4 cables, interfaz UART)
• Detección de cargador
  • Compatible con USB BCDv1.1
  • Detección de VBUS
  • Detección de contacto de datos
  • Detección primaria y secundaria
• Accesorios compatibles
  • Cable USB
  • Cable UART
  • Cargador USB BCDv1.1
• Características adicionales
  • Interfaz I²C procesador anfitrión
  • Soporta señales de control utilizadas en la fabricación (JIG, BOOT)
  • Accesorio de interrupción para acople y desacople

TS3A24159

Multiplexor y demultiplexor 2:1 de dos canales con Interruptor analógico SPTD dual de 0.3 Ohm

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• Interruptor específico para interrupción previa a la conexión
• Resistencia en estado encendido baja (0.3 Ω máx.)
• Baja inyección de canal
• Excelente acople de resistencia en estado encendido
• Baja distorsión armónica total (THD)
• Operación de alimentación única de 1.65 V a 3.6 V
• Las entradas de control son compatibles con lógica de 1.8 V
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• • Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000-V (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000-V (c101)

Conmutadores de carga

La familia TPS229xx de TI formada por interruptores de carga integrada brinda una solución fácil para la optimización del consumo de energía en un sistema gracias a la reducción de las fugas de corriente. Estos interruptores de carga están especialmente diseñados como solución para abordar los desafíos que enfrentan los diseñadores de dispositivos de administración de alimentación portátiles. Integran todas las características principales de un interruptor de carga discreto en un molde único. Esto provee el rendimiento máximo y la flexibilidad para el usuario final. Utilizar interruptores de carga integrados es una manera fácil de implementar una arquitectura de administración de potencia distribuida y de apagar aplicaciones cuando no se utilizan.

TPS22946

Energía ultra baja, Voltaje de entrada bajo, interruptor de carga limitado de corriente

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• Corriente de reposo ultra baja de 1 µA (típ.)
  con V_IN = 1.8 V
• Rango de voltaje de entrada: de 1.62 V a 5.5 V
• Resistencia de encendido baja
  • r_ON = 300 mΩ con V_IN = 5.5 V
  • r_ON = 400 mΩ con V_IN = 3.3 V
  • r_ON = 500 mΩ con V_IN = 2.5 V
  • r_ON = 600 mΩ con V_IN = 1.8 V
• Límite de corriente mínimo elegible:
  155 mA, 70 mA o 30 mA
• Intervalo de espera de corriente de irrupción integrada (8 ms)
• Corriente de apagado: <1 µA
• Apagado térmico
• Supresión de falla
• Reinicio automático
• Intervalo de espera de condición de sobrecorriente (inhabilitación automática
  para la sobrecorriente permanente)
• Entrada de control compatible de 1.8 V
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano 6000-V
    (A114-B, clase II)
• Paquete Tiny WCSP de 1.4 mm &timews; 0.9 mm (YZP)
• APLICACIONES
  • Protección de módulo de huella dactilar

TPS22941

Interruptor de carga limitado de corriente de voltaje de entrada bajo de 40 mA con funciones de interrupción y de reinicio automático.

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• Rango de voltaje de entrada: de 1.62 V a 5.5 V
• Baja resistencia de encendido
  • r_ON = 0.4 Ω con V_IN = 5.5 V
  • r_ON = 0.5 Ω con V_IN = 3.3 V
  • r_ON = 0.6 Ω con V_IN = 2.5 V
  • r_ON = 0.8 Ω con V_IN = 1.8 V
• Límite de corriente mínima: 40 mA, o 100 mA
• Bloqueo de subvoltaje.
• Apagado térmico
• Corriente de apagado <1 µA
• Rápido tiempo de respuesta límite de corriente
• Supresión de falla
• Reinicio automático
• Umbral de entrada de control compatible de 1.8 V
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano 4000-V
    (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000-V (c101)
• Paquete Tiny SC-70 (DCK)
• APLICACIONES
  • Protección del sensor de corriente baja

TPS22904

Interruptor de carga de rON bajo con voltaje de entrada bajo y ultra pequeño con descarga de salida rápida.

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• Voltaje de entrada: de 1.1 V a 3.6 V
• Resistencia ultra baja en estado encendido
  • r_ON = 66 mΩ con V_IN = 3.6 V
  • r_ON = 75 mΩ con V_IN = 2.5 V
  • r_ON = 90 mΩ con V_IN = 1.8 V
  • r_ON = 135 mΩ con V_IN = 1.2 V
• Corriente de interruptor continua máxima de 500 mA
• Corriente de reposo <1 µA
• Corriente de apagado <1 µA
• El umbral de entrada de control bajo habilita el uso de lógica de 1.2 V/1.8 V/2.5 V/3.3 V
• Velocidad de respuesta controlada (5 µs máx. a 3.6 V)
• Descarga de salida rápida (sólo TPS22904)
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000-V
    (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000-V (c101)
• Paquete de escala de chip de oblea con 4 terminales (WCSP)
  • 0.8 mm × 0.8 mm,
    paso de 0.4 mm, altura de 0.5 mm
• APLICACIONES
  • PDA
  • Teléfonos celulares

TPS22929D

Interruptor de carga con canal único de 1.8 A y voltaje de entrada bajo con encendido controlado

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• Interruptor de carga integrado de canal único
• Paquete pequeño SOT23-6
• Rango de voltaje de entrada de 1.4 V a 5.5 V
• Resistencia de encendido baja
  • r_ON = 115 mΩ con VIN = 5 V
  • r_ON = 115 mΩ con VIN = 3.3 V
  • r_ON = 118 mΩ con VIN = 2.5 V
  • r_ON = 129 mΩ con VIN = 1.5 V
• Corriente de interruptor continua de 1.8 A (25C)
• Entrada de control de umbral bajo
• Opciones de velocidad de respuesta controlada
• Bloque contra subvoltaje
• Transistor de descarga de salida rápido
• Protección contra corriente inversa

TPS22913C

Interruptor de carga con canal único 2A, bajo rON y ultra pequeño con encendido controlado

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• Interruptor de carga integrado de canal único
• Paquete CSP-4 ultrapequeño con paso de 0.9 mm × 0.9 mm, 0.5 mm
• Rango de voltaje de entrada de 1.4 V a 5.5 V
• Resistencia de encendido baja
  • r_ON = 60 mΩ con VIN = 5 V
  • r_ON = 61 mΩ con VIN = 3.3 V
  • r_ON = 74 mΩ con VIN = 1.8 V
  • r_ON = 84 mΩ con VIN = 1.5 V
• Corriente de interruptor continua máxima de 2 A
• Entrada de control de umbral bajo
• Opciones de velocidad de respuesta controlada
• Bloque contra subvoltaje
• Transistor de descarga de salida rápido
• Protección contra corriente inversa

TPS22912C

Interruptor de carga con canal único de 2A y voltaje de entrada bajo con encendido controlado

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• Interruptor de carga integrado de canal único
• Paquete CSP-4 ultrapequeño con paso de 0.9 mm × 0.9 mm, 0.5 mm
• Rango de voltaje de entrada de 1.4 V a 5.5 V
• Resistencia de encendido baja
  • r_ON = 60 mΩ con VIN = 5 V
  • r_ON = 61 mΩ con VIN = 3.3 V
  • r_ON = 74 mΩ con VIN = 1.8 V
  • r_ON = 84 mΩ con VIN = 1.5 V
• Corriente de interruptor continua máxima de 2 A
• Entrada de control de umbral bajo
• Opciones de velocidad de respuesta controlada
• Bloque contra subvoltaje
• Protección contra corriente inversa

TPS22910A

Interruptor de carga con canal único 2A, bajo rON y ultra pequeño con encendido controlado

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• Interruptor de carga integrado de canal único
• Paquete CSP-4 ultrapequeño con paso de 0.9 mm × 0.9 mm, 0.5 mm
• Rango de voltaje de entrada de 1.4 V a 5.5 V
• Resistencia de encendido baja
  • r_ON = 60 mΩ con VIN = 5 V
  • r_ON = 61 mΩ con VIN = 3.3 V
  • r_ON = 74 mΩ con VIN = 1.8 V
  • r_ON = 84 mΩ con VIN = 1.5 V
• Corriente de interruptor continua máxima de 2 A
• Entrada de control de umbral bajo
• Opciones de velocidad de respuesta controlada
• Bloque contra subvoltaje
• Protección contra corriente inversa

I²C

A medida que los circuitos de vuelven más complejos con más conexiones periféricas, aumenta la necesidad de un método para simplificar los diseños y reducir los costos. El bus I2C cumple con estos requerimientos porque limita la cantidad de trazos de placas de circuitos impresos (PCB) y disminuye el uso del ingreso y egreso con propósitos generales (GPIO) en el microprocesador, Los expansores, multiplexores, búferes y repetidores de E/S de Texas Instruments pueden ayudar a los diseñadores de sistemas a lograr comunicaciones e interfaces eficaces de subsistemas y dispositivos I²C comprobados. El bus de circuito inter-integrado I²C consta de dos cables activos, una línea de datos seriales bidireccional (SDA) y una línea de reloj serial bidireccional (SCL). La cartera de I²C de TI incluye tecnologías TCA, PCA y PCF.

TCA5405

Expansor de salida con cable único con temporizado propio de 5 Bit y bajo voltaje

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• Rango de voltaje de fuente de alimentación de funcionamiento de 1.65 V a 3.6 V
• Cinco salidas en contrafase independientes
• La entrada única (DIN) controla el estado de todas las salidas
• Capacidad máxima de salidas de controlador de alta corriente para controlar LED directamente.
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II

TCA6416A

Expansor de E/S y bajo voltaje de 16 Bit I²C y SMBus

Haga clic aquí para obtener más información.

• Rango de voltaje de fuente de alimentación de funcionamiento de 1.65 V a 5.5 V
• Expansor I²C a puerto paralelo
• Bajo consumo de corriente en modo de espera de 3 μA.
• La acción de disparador Schmitt permite una transición de entrada lenta y una mejor inmunidad al sonido de conmutación en las entradas SCL y SDA

PCA9306

Traductor de nivel de voltaje dual bidireccional I2C-Bus y SMBus

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• Traductor bidireccional de 2 Bit para líneas SDA y SCL
  en aplicaciones I²C de modo mixto
• Compatible con I²C y SMBus
• Menos de 1.5 ns de retardo de propagación máximo para admitir dispositivos y maestros múltiples I
  2^{C en Modo} estándar y modo rápido
• Permite traductor de nivel de voltaje entre
  • V_REF1 de 1.2 V y V_REF2 de 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V
    o 5 V
  • V_REF1 de 1.8 V y V_REF2 de 2.5 V, 3.3 V o 5 V
  • V_REF1 de 2.5 V y V_REF2 de 3.3 V o 5 V
  • V_REF1 de 3.3 V y V_REF2 de 5 V
• Ofrece la transmisión de tensión bidireccional sin dirección terminal
• La conexión en estado encendido baja de 3.5 Ω entre puertos de entrada y de salida
  brinda menos distorsión de señal.
• Puertos de E/S I²C I/O de drenaje abierto (SCL1, SDA1, SCL2, y SDA2)
• Puertos de E/E I²C tolerantes a 5 V para soportar operaciones de señal de modo mixto
• Pines SCL1. SDA1. SCL2 y SDA2 de alta impedancia para EN = baja
• Operación libre de supresión para aislación cuando EN = baja
• Esquema de pines de flujo para facilidad en el encaminamiento de trazos de placas de circuitos impresos
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200-V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000-V (c101)

TCA6408A

Expansor de E/S y bajo voltaje de 8 Bit I2C y SMBus

Haga clic aquí para obtener más información.

• Rango de voltaje de fuente de alimentación de funcionamiento de
  1.65 V a 5.5 V
• Permite la traducción de nivel del voltaje bidireccional y expansión de
  GPIO entre:
  • SCL/SDA de 1.8 V y Puerto de 1.8 V, 2.5 V,
    3.3 V o 5 V
  • SCL/SDA de 2.5 V y Puerto de 1.8 V, 2.5 V,
    3.3 V o 5 V
  • SCL/SDA de 3.3 V y Puerto de 1.8 V, 2.5 V,
    3.3 V o 5 V
  • SCL/SDA de 5 V y Puerto de 1.8 V, 2.5 V,
    3.3 V o 5 V
• Expansor I²C a puerto paralelo
• Bajo consumo de corriente en modo de espera de 1 μA.
• La acción de disparador Schmitt permite una transición de entrada lenta y una
  mejor inmunidad al sonido de conmutación en las entradas SCL y SDA
  • V_hys = 0.18 V típ. a 1.8 V
  • V_hys = 0.25 V típ. a 2.5 V
  • V_hys = 0.33 V típ. a 3.3 V
  • V_hys = 0.5 V típ. a 5 V
• Puertos de E/S tolerantes a 5 V
• Entrada de reinicio de activo bajo (RESET)
• Salida de interrupción de activo bajo y drenaje abierto (INT)
• Bus I²C rápido de 400 kHz
• Registro de configuración de entrada/salida
• Registro de inversión de polaridad
• Reinicialización por activación interna

TCA6424A

Expansor de E/S y bajo voltaje de 24 Bit I2C y SMBus

Haga clic aquí para obtener más información.

• Rango de voltaje de fuente de alimentación de funcionamiento de 1.65 V a 5.5 V
• Permite la traducción de nivel del voltaje bidireccional y expansión de GPIO entre:
  • SCL/SDA de 1.8 V y Puerto de 1.8 V, 2.5 V,
    3.3 V o 5 V
  • SCL/SDA de 2.5 V y Puerto de 1.8 V, 2.5 V,
    3.3 V o 5 V
  • SCL/SDA de 3.3 V y Puerto de 1.8 V, 2.5 V,
    3.3 V o 5 V
  • SCL/SDA de 5 V y Puerto de 1.8 V, 2.5 V,
    3.3 V o 5 V
• Expansor I²C a puerto paralelo
• Bajo consumo de corriente en modo de espera de 1 μA.
• La acción de disparador Schmitt permite una transición de entrada lenta y una
  mejor inmunidad al sonido de conmutación en las entradas SCL y SDA
  • V_hys = 0.18 V típ. a 1.8 V
  • V_hys = 0.25 V típ. a 2.5 V
  • V_hys = 0.33 V típ. a 3.3 V
  • V_hys = 0.5 V típ. a 5 V
• Puertos de E/S tolerantes a 5 V
• Entrada de reinicio de activo bajo (RESET)
• Salida de interrupción activo bajo de drenaje abierto (INT)
• Bus I²C rápido de 400 kHz
• Registro de configuración de entrada/salida
• Registro de inversión de polaridad
• Reinicialización por activación interna

TCA6507

Controlador LED de bajo voltaje de 7 bits I2C y SMBus con control de intensidad y apagado

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• Siete salidas de conductor LED: tasas de encendido, de apagado, de titilado, de desvanecido y programable
• Las salidas de drenaje abierto conducen directamente los LED a 40 mA máx.
• Puede configurarse en dos bancos independientes de conductores LED
• Tasas de titilado y de desvanecimiento, e intensidad máxima programables
• Configuración de intensidad LED utilizando la modulación por ancho de pulsos (PWM)
• Las salidas no utilizadas como conductores LED se pueden utilizar como salidas de drenaje abierto de propósito general regulares
• 16 pasos de control de máxima intensidad desde el estado completamente apagado hasta el estado completamente encendido.
• 256 niveles de intensidad durante el encendido y el desvanecimiento para transición con percepción suave.
• Rango de voltaje de fuente de alimentación de funcionamiento de 1.65 V a 3.6 V
• EVM disponible
• La acción de disparador Schmitt permite una transición de entrada lenta y una mejor inmunidad al sonido de conmutación en las entradas
  • V_hys = 0.18 V típ. a 1.8 V
  • V_hys = 0.25 V típ. a 2.5 V
  • V_hys = 0.33 V típ. a 3.3 V
• Salidas de drenaje abierto tolerantes a 5.5 V
• Corriente de modo de energía baja con capacidad de apagado para ahorros de energía adicionales.
• Reinicialización por activación interna
• El Oscilador interno no requiere de componentes externos
• Programable a través de la lógica de interfaz de Bus I²C compatible con SMBus
• Bus I²C rápido de 400 kHz

TCA9555

Expansor de E/S remoto de 16 Bit y SMBus con salida de interrupción y registros de configuración.

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• Bajo consumo de corriente en modo de espera de 3 µA máx.
• Expansor I²C a puerto paralelo
• Salida de interrupción activo bajo de drenaje abierto
• Puertos de E/S tolerantes a 5 V
• Compatible con la mayoría de los microcontroladores
• Bus I²C rápido de 400 kHz
• Abordado por tres pines de dirección de hardware
  para utilizar hasta ocho dispositivos.
• Registro de inversión de polaridad
• Salidas de Lach-up con
  capacidad de controlador de alta corriente para controlar LED directamente.
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA
  por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200-V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000-V (c101)

TCA7408

Expansor de E/S de bajo voltaje de 8 bit I2C con registros de dirección de E/S en reinicio de salida de interrupción.

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• Rango de voltaje de fuente de alimentación de funcionamiento de 1.65V a 3.6V
• Permite la traducción de nivel del voltaje bidireccional y expansión de GPIO entre:
  • SCL/SDA de 1.8 V y puerto GPIO de 1.8 V, 2.5 V y 3.3 V
  • SCL/SDA de 2.5V y puerto GPIO de 1.8 V, 2.5 V y 3.3 V
  • SCL/SDA de 3.3V y puerto GPIO de 1.8 V, 2.5 V y 3.3 V
  • SCL/SDA de 5V y puerto GPIO de 1.8 V, 2.5 V y 3.3 V
• Consumo de corriente en modo de espera de <2 µA a 1.8V
• Consumo de corriente activa de:
  • Reloj de <2 µA a 1.8 V 100 kHz
  • Reloj de <5 µA a 1.8 V 400 kHz
• Modo rápido 100 kHz, 400 kHz
• Temporizador de vigilancia y restablecimiento al encendido interno
• Líneas de seguridad de fallos I²C, INT, y RESET
• Filtro de ruido en SCL/SDA y entradas
• La acción de disparador Schmitt permite una transición de entrada lenta y una mejor inmunidad al sonido de conmutación en las entradas SCL y SDA
  • V_hys = 0.18V típ. a 1.8V
  • V_hys = 0.25V típ. a 2.5V
  • V_hys = 0.33V típ. a 3.3V
• Entrada de reinicio de activo bajo (RESET)
• Salida de interrupción de activo bajo y drenaje abierto (INT)

TCA9509

Repetidor Bus I2C de traducción de nivel

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• Búfer bidireccional de dos canales
• Compatible con Bus I²C y SMBus
• Rango de voltaje de alimentación de funcionamiento de
  2.7 V a 5.5 V en el lado B
• Rango de voltaje de operación de 0.9 V a V_CCB - 1 V en el lado A
• Traducción de nivel de voltaje desde
  0.9 V a (V_CCB - 1 V) y 2.7 V a 5.5 V
• Entrada de activación de repetidor activo alto
• No requiere de resistores en pull-up en puerto A de voltaje menor
• E/S I²C de drenaje abierto
• I²C tolerantes a 5.5 V y operaciones de señal de modo mixto de soporte de entrada de activación
• Operación libre de enclavamiento
• Admite dispositivos y maestros múltiples I²C en modo estándar y modo rápido
• Soporta el arbitraje y la prolongación de reloj en el repetidor
• Pines bus I²C de alta impedancia apagados
• suporta velocidades de operación de Bus I²C rápido de 400 kHz
• Disponibles en
  • Paquete QFN de 1.6 mm x 1.6 mm, 0.4 mm de altura, 0.5 mm de paso
  • Paquete MSOP de 3 mm x 3 mm estándar de la industria
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)

Traductores

La habilidad para combinar, unir y soportar el uso simultáneo de diferentes niveles de voltaje de alimentación activos en la misma placa de circuitos ha creado la necesidad de traducción de nivel de voltaje. Los traductores de nivel de voltaje o los cambiadores de nivel abordan los desafíos que presenta el uso simultáneo de distintos niveles de voltaje de alimentación en una misma placa de circuito. Texas Instruments ofrece la cartera de productos de traducción de nivel más amplia del sector para satisfacer todas sus necesidades relacionadas con los cambiadores de nivel

TXS4555

Una solución de tarjeta SIM completa para procesadores de banda base inalámbricos de interfaz.

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• Traducción de nivel
  • Rango V_CC de 1.65 V a 3.3 V
  • Rango V_BATT de 2.3 a 5.5 V
• Regulador de caída baja (LDO)
  • Regulador LDO de 50 mA con activación
  • Voltaje de salida seleccionable de 1.8 V o 2.95 V
  • Rango de voltaje de entrada de 2.3 V a 5.5 V
  • Caída muy baja: 100 mV (máx.) a 50 mA

TXS0102

Transmisor de nivel de voltaje bidireccional de 2 Bit para aplicación de drenaje abierto

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• No se necesita señal de control de dirección
• Rangos de datos máximos
  • 24 Mbps (en contrafase)
  • 2 Mbps (Drenaje abierto)
• Disponible en el paquete NanoFree™ de Texas Instruments
• 1.65 V a 3.6 V en puerto A y 2.3 V a 5.5 V en puerto B (V_CCA ≤ V_CCB)

TXB0104

Transmisor de nivel de voltaje bidireccional de 4 Bit con detección de autodirección y protección contra descarga electrostática de +/-15 kV

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• 1.2 V a 3.6 V en puerto A y 1.65 V a 5.5 V en puerto
  B (V_CCA ≤ V_CCB)
• Característica de aislamiento V_CC: si la entrada
  V_CC es a GND, todas las salidas se encuentran en
  el estado de impedancia alta.
• Circuito de entrada OE referenciado a V_CCA
• Bajo consumo de energía, 5 µA máx. I_CC
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Puerto A
    • Modelo de cuerpo humano de 2500 V (A114-B)
    • Modelo de dispositivo cargado de 1500-V (c101)
  • Puerto B
    • Modelo de cuerpo humano de ±15 kV (A114-B)
    • Modelo de dispositivo cargado de 1500-V (c101)

TXS0104E

Transmisor de nivel de voltaje bidireccional de 4 Bit para aplicaciones de drenaje abierto

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• No se necesita señal de control de dirección
• Rangos de datos máximos
  • 24 Mbps (en contrafase)
  • 2 Mbps (Drenaje abierto)
• Disponible en el paquete NanoFree de Texas Instruments
• 1.65 V a 3.6 V en puerto A y 2.3 V a 5.5 V en puerto B (V_CCA ≤ V_CCB)
• No requiere de escalonamiento de fuente de alimentación - Se puede realizar una rampa con V_CCA o V_CCB primero
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V en puerto A (A114-B) modelo máquina de 200 V (A115-A) Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (C101)
  • Modelo de cuerpo humano de 15 kV en puerto B (A114-B) modelo máquina de 200 V (A115-A) Modelo de dispositivo cargado de 1000 V (C101)
• IEC 61000-4-2 ESD (Puerto B)
  • Descarga de contacto de ±8-kV
  • Descarga de entrehierro de ±10-kV

SN74LVC1T45

Transceptor de bus de fuente de alimentación doble y bit único con traducción de voltaje configurable y salidas de 3 estados

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• Disponible en el paquete NanoFree™ de Texas Instruments
• El diseño de doble riel totalmente configurable permite a cada puerto
  funcionar en todo el rango de fuente de alimentación de 1.65 V a 5.5 V
• Característica de aislamiento V_CC: si la entrada V_CC es a GND,
  ambos puertos se encuentran en el estado de impedancia alta.
• Circuito de entrada DIR referenciado a V_CCA
• Bajo consumo de energía, 4 µA máx. I_CC
• Controlador de salida de ±24-mA a 3.3 V
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• Rangos de datos máximos
  • 420 Mbps (Transmisión de 3.3 V a 5 V)
  • 210 Mbps (Transmisión a 3.3 V)
  • 140 Mbps (Transmisión a 2.5 V)
  • 75 Mbps (Transmisión a 1.8 V)
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200-V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000-V (c101)

SN74AVC2T45

Transceptor de bus de fuente de alimentación doble y bit doble con traducción de voltaje configurable y salidas de 3 estados

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• Disponible en el paquete NanoFree™ de Texas Instruments
• Niveles V_IH/V_IL de entradas de control referenciados al voltaje V_CCA
• El diseño de doble riel totalmente configurable permite a cada puerto funcionar en todo el rango de fuente de alimentación de 1.2 V a 3.6 V
• Las E/S son tolerantes a 4.6 V
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• Rangos de datos máximos
  • 500 Mbps (Transmisión de 1.8 V a 3.3 V)
  • 320 Mbps (Transmisión de < 1.8 V a 3.3 V)
  • 320 Mbps (Transmisión a 2.5 V o 1.8 V)
  • 280 Mbps (Transmisión a 1.5 V)
  • 240 Mbps (Transmisión a 1.2 V)
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de dispositivo cargado 8000-V (A114-A)
  • Modelo de máquina de 200-V (A115-A)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000-V (c101)

SN74AUP1T97

Traductor de voltaje de alimentación simple

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• Disponible en los paquetes NanoStar™ de Texas Instruments
• Traductor de voltaje de alimentación simple
• 1.8 V a 3.3 V (en V_CC = 3.3 V)
• 2.5 V a 3.3 V (en V_CC = 3.3 V)
• 1.8 V a 2.5 V (en V_CC = 2.5 V)
• 3.3 V a 2.5 V (en V_CC = 2.5 V)
• Nueve funciones lógicas de compuerta configurables
• Las entradas de disparador Schmitt rechazan el ruido de entrada y brindan una
  mejor integridad de la señal de salida
• I_off soporta el modo de pérdida de potencia parcial con corriente de fuga
  baja (0.5 µA)
• Consumo de energía estática y dinámica muy bajo
• Paquetes libres de Pb disponibles: SON (DRY o DSF),
  SOT-23 (DBV), SC-70 (DCK) y WCSP de NanoStar
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Rendimiento de descarga electrostática probado por JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 2000-V
    (A114-B, clase II)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000-V (c101)
• Dispositivos relacionados: SN74AUP1T98, SN74AUP1T57 y SN74AUP1T58

TXB0304

Transmisor de detección de autodirección bidireccional de 4 bit con rango completamente simétrico de 0.9 V a 3.6 V

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• Voltajes de alimentación completamente simétricos 0.9 V a 3.6 V en puerto A y 0.9 V a 3.6 V
• Característica de aislamiento V_CC: si la entrada V_CC es a GND,
  todas las salidas se encuentran en el estado de impedancia alta.
• Circuito de entrada OE referenciado a V_CCA
• Bajo consumo de energía, 5 µA máx. (I_CCA o I_CCB)
• I_off admite la operación en modo de pérdida de potencia parcial
• El rendimiento de Latch-up supera los 100 mA por JESD 78, clase II
• Protección contra descarga electrostática excede JESD 22
  • Modelo de cuerpo humano de 8000 V (A114-B)
  • Modelo de dispositivo cargado de 1000-V (c101)