MOSFET de 40/60 V de uso automotriz TQM
Los MOSFET de trinchera de canal N simple y doble AEC-Q101 TQM de Taiwan Semiconductor cuentan con un paquete PDFN de flanco humectable con clasificación TJ de 175°
La familia TQM de MOSFET de potencia de uso automotriz de canal N simple y doble de
Taiwan Semiconductor se ofrece con voltaje disruptivo de drenaje a fuente (BVDSS) de 40 V o 60 V. Todas las piezas de esta familia AEC-Q101 tienen una temperatura máxima de funcionamiento (Tj) de +175 ºC. Todos están 100 % probados para cumplir con el máximo publicado sobre resistencia (RDS(ON)) y clasificaciones UIS/Avalanche. Todos los dispositivos están empaquetados en un paquete PDFN estándar de la industria, de flanco humectable, de 5 mm x 6 mm.
- Cumplimiento 100 % de las clasificaciones UIS/Avalanche: proporciona garantía de un área de operación segura (SOA) constante
- RDS(ON), máx. garantizado: las pruebas al 100 % del cumplimiento de las especificaciones publicadas permiten que los diseños tengan márgenes más ajustados
- Certificación AEC-Q101: asegura calidad y confiabilidad probadas en electrónica de transporte crítica y otras aplicaciones de alta confiabilidad
- +175 ºC Tj, máx.: esencial para muchas aplicaciones automotrices
- Embalaje de flanco humectable: facilita la fabricación a menor costo (AOI frente a inspección por rayos X) y ofrece mayores rendimientos de producción
- Proceso de aprobación de piezas de productos (PPAP): las instalaciones de fabricación de MOSFET de semiconductores de Taiwán cumplen con los estándares AEC más estrictos. La documentación PPAP está disponible a pedido
- Sistemas automotrices de 12 V
- Conmutación de carga y control de motor de puente H en sistemas electrónicos de carrocería
- Control de transmisión del tren de fuerza
- Convertidores de CC-CC
- Dirección asistida eléctrica
- Calentadores de asiento, ECU, limpiaparabrisas, chasis y aplicaciones de electrónica de la carrocería
- Sistemas de control de posición del asiento
- Conmutación y conversión de energía de uso general
- Conmutación de lado alto y lado bajo de una amplia gama de cargas
TQM Automotive 40 V or 60 V MOSFETs
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | TQM050NB06CR RLG | MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U | 3651 - Inmediata | $2.39 | Ver detalles |
![]() | ![]() | TQM130NB06CR RLG | MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU | 3370 - Inmediata | $1.68 | Ver detalles |
![]() | ![]() | TQM025NB04CR RLG | MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU | 0 - Inmediata | $2.76 | Ver detalles |
![]() | ![]() | TQM300NB06CR RLG | MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU | 1446 - Inmediata | $1.33 | Ver detalles |
![]() | ![]() | TQM250NB06CR RLG | MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU | 0 - Inmediata | $1.43 | Ver detalles |
![]() | ![]() | TQM070NB04CR RLG | MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU | 7500 - Inmediata | $1.53 | Ver detalles |
![]() | ![]() | TQM150NB04CR RLG | MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U | 4990 - Inmediata | $1.39 | Ver detalles |
![]() | ![]() | TQM033NB04CR RLG | MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U | 7321 - Inmediata | $2.01 | Ver detalles |
![]() | ![]() | TQM110NB04CR RLG | MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU | 4738 - Inmediata | $1.67 | Ver detalles |
![]() | ![]() | TQM300NB06DCR RLG | MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFNU | 0 - Inmediata | $1.67 | Ver detalles |
![]() | ![]() | TQM110NB04DCR RLG | MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFNU | 6824 - Inmediata | $2.77 | Ver detalles |
![]() | ![]() | TQM250NB06DCR RLG | MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFNU | 7383 - Inmediata | $1.79 | Ver detalles |
![]() | ![]() | TQM150NB04DCR RLG | MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU | 100 - Inmediata | $1.73 | Ver detalles |





