Serie PerFET™ de MOSFET de 40 V que mejora el rendimiento de la fuente de alimentación conmutada (SMPS)

La serie PerFET de Taiwan Semiconductor de MOSFET de potencia de 40 V de uno y dos canales se basa en estructuras y procesos de dispositivos propios que permiten una resistencia de estado activado (RDS_(ON)) y un coeficiente de calidad de conmutación (FOM) excepcionalmente bajos. El logro del dispositivo PerFET de un 50 % de RDS_(ON) y una reducción del 40 % de FOM sitúa a esta cartera en la vanguardia del rendimiento de la industria. La plataforma PerFET de canal N de 40 V incluye opciones para los requisitos de accionamiento de compuerta tanto estándar (10 V) como de nivel lógico (5 V), al mismo tiempo que preserva un margen de área de funcionamiento seguro y resistente cuando se producen transitorios de tensión de conmutación y avalanchas en aplicaciones de conmutación.

Características

• Reducción del 50 % de RDS_(ON): pérdidas de potencia más bajas
• Mejora del 40 % del FOM: mejora del rendimiento de la conmutación
• Conductores de flanco mojables: fiabilidad mejorada de las juntas de soldadura y de la inspección óptica automatizada (AOI)
• Paquetes de uno y dos canales
• UIS 100 % y R_g probado
• Calificado por AEC-Q para automoción: TJ_(máx.) de +175 ºC obligatoria para aplicaciones industriales y automotrices; la documentación del Proceso de aprobación de piezas de producción (PPAP) está disponible
• Cumplimiento global de materiales: cumplen con la directiva RoHS, libre de halógenos (según IEC-61249-2-21), WEEE, REACH, California Prop. 65, prueba de bigotes JESD-201 Clase 2 y otros