Controlador de compuerta única de 4 A aislado galvánicamente STGAP2SICSN para MOSFET de SiC

El controlador de compuerta monocanal aislado galvánicamente de STMicroelectronics para transistores de potencia de carburo de silicio se presenta en un paquete estándar SO8.

Imagen del controlador de compuerta única, aislado galvánicamente, de 4 A STGAP2SICSN de STMicroelectronicsEl controlador de compuerta monocanal aislado galvánicamente STGAP2SICSN de STMicroelectronics para transistores de potencia de carburo de silicio se presenta en un paquete estándar SO8. Ofrece un conductor aislado adecuado para el carburo de silicio en un espacio reducido que aprovecha la última tecnología de aislamiento galvánico, lo que permite la declaración de una sobretensión transitoria de 4.8 kV. El controlador de compuerta se caracteriza por su capacidad de 4 A y puede sostener un carril de alta tensión de hasta 1700 V. La inmunidad a los transitorios dv/dt es de ±100 V/ns en todo el rango de temperaturas, lo que garantiza una notable solidez frente a los transitorios de tensión.

El dispositivo está disponible en dos configuraciones. Proporcionan una gran flexibilidad y una lista de materiales optimizada para los componentes externos según la estrategia del proyecto. La primera opción presenta pines de salida separados para optimizar el encendido y el apagado independientes mediante el uso de resistencias independientes. La configuración con un solo pin de salida y la función Miller CLAMP evitan picos de compuerta durante conmutaciones rápidas en topologías de medio puente.

Las entradas lógicas compatibles con CMOS/TTL hasta 3.3 V garantizan una interfaz sencilla con microcontroladores y periféricos DSP. El controlador STGAP2SICSN permite a los usuarios diseñar sistemas de alta fiabilidad gracias a las funciones de protección integradas, como la UVLO con valor optimizado para los MOSFET de SiC y la desconexión térmica, que pone ambas salidas del controlador en nivel bajo para crear una alta impedancia en el medio puente cuando la temperatura de la unión alcanza un umbral establecido.

Está disponible un modo de espera para reducir el consumo de energía inactivo. El STGAP2SICSN es adecuado para aplicaciones de media y alta potencia en la conversión de energía y aplicaciones industriales. El STGAP2SICSN se presenta en un paquete SO8N.

Características
  • Carril de voltaje a 1700 V
  • Voltaje de accionamiento de la puerta de hasta 26 V
  • Corrientes de disipador/fuente de 4 A
  • Retardo de propagación corto de 75 ns
  • Diodo de arranque
  • Opción de disipador/fuente separada para facilitar el ajuste de la conducción de la compuerta
  • Opción de pines dedicados Miller CLAMP de 4 A
  • Entradas lógicas 3.3 V/5 V
  • UVLO en VCC
  • Protección contra apagado térmico
  • Paquete SO8 de cuerpo estrecho

STGAP2SICSN Galvanically Isolated 4 A Single Gate Driver

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SOSTGAP2SICSNTRDIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO1732 - Inmediata$3.67Ver detalles
EVAL BOARD FOR STGAP2SICSNCEVSTGAP2SICSNCEVAL BOARD FOR STGAP2SICSNC4 - Inmediata$45.52Ver detalles
EVAL BOARD FOR STGAP2SICSNEVSTGAP2SICSNEVAL BOARD FOR STGAP2SICSN2 - Inmediata$45.52Ver detalles
Publicado: 2021-11-02