Controlador de compuerta doble galvánico de 6 kV para FET de SiC STGAP2SICD

El controlador de compuerta de doble canal aislado galvánicamente de STMicroelectronics es adecuado para accionar transistores de potencia de SiC en un paquete de ancho SO-36.

Imagen del controlador de compuerta doble galvánico de 6 kV para FET de SiC STGAP2SICD de STMicroelectronicsEl STGAP2SiCD de STMicroelectronics es un controlador de compuerta de doble canal aislado galvánicamente de 6 kV en un encapsulado ancho SO-36 que es adecuado para accionar transistores de potencia SiC. Proporciona un aislamiento galvánico entre cada canal de conducción de la compuerta y los circuitos de control e interfaz de baja tensión. El STGAP2SiCD ofrece un completo juego de protecciones y la máxima flexibilidad de accionamiento, aprovechando la última tecnología de aislamiento galvánico de 6 kV.

El controlador de compuerta se caracteriza por su capacidad de 4 A y sus salidas de carril a carril, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de media y alta potencia, como la conversión de energía, los accionamientos industriales y los inversores, y puede soportar un carril de alta tensión de hasta 1200 V.

La inmunidad transitoria dV/dt es de ±100 V/ns en todo el rango de temperatura, lo que garantiza una notable solidez frente a los transitorios de tensión. Características: opción de disipador y fuente separados para facilitar la configuración del accionamiento de la compuerta y una función de sujeción Miller que evita los picos de la compuerta durante las conmutaciones rápidas en topologías de medio puente. Las entradas lógicas compatibles con CMOS/TTL hasta 3,3 V garantizan una interfaz sencilla con microcontroladores y periféricos DSP.

El dispositivo integra el bloqueo por subtensión específico para SiC y la protección por apagado térmico para diseñar fácilmente sistemas de alta fiabilidad. En las topologías de medio puente, la función de enclavamiento impide que las salidas sean altas al mismo tiempo, evitando condiciones de disparo en caso de comandos de entrada lógica erróneos. Un pin de configuración dedicado puede desactivar la función de enclavamiento para permitir el funcionamiento independiente y en paralelo de los dos canales. El retardo de propagación de la entrada a la salida está dentro de los 75 ns, proporcionando un control PWM preciso. Está disponible un modo de espera para reducir el consumo de energía inactivo.

Características
  • Riel de voltaje alto de hasta 1200 V
  • Capacidad de corriente del controlador: disipador/fuente de 4 A a +25 ºC
  • Inmunidad transitoria dv/dt de ±100 V/ns
  • Retardo total de propagación de entrada/salida: 75 ns
  • Disipador y fuente separados para una fácil configuración de accionamiento de la compuerta
  • Pinza Miller de 4 A
  • Función UVLO específica para SiC
  • Función de enclavamiento configurable
  • Pines SD y FRENO dedicados
  • Voltaje de accionamiento de puerta hasta 26 V
  • Entradas TTL/CMOS de 3,3 V y 5 V con histéresis
  • Protección de apagado por temperatura
  • Función en modo de espera
  • Aislamiento galvánico de 6 kV
  • Cuerpo ancho SO-36W

STGAP2SICD 6 kV Galvanic Iso Dual Gate Driver for SiC FETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
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Publicado: 2022-03-18